IXZR16N60B Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: IXZR16N60B
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 350 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 18 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
Cossⓘ - Выходная емкость: 160 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.53 Ohm
Тип корпуса: ISOPLUS247
Аналог (замена) для IXZR16N60B
IXZR16N60B Datasheet (PDF)
ixzr16n60a ixzr16n60b.pdf

IXZR16N60 & IXZR16N60A/B Z-MOS RF Power MOSFET NChannel Enhancement Mode N-Channel Enhancement Mode Switch Mode RF MOSFET Low Qg and Rg Low Capacitance Z-MOSTM MOSFET Process VDSS = 600 V High dv/dt Optimized for RF Operation Nanosecond Switching Ideal for Class C, D, & E Applications ID25 = 18 A Symbol Test Conditions Maximum Ratings RDS(on) 0.56
ixzr18n50a ixzr18n50b.pdf

IXZR18N50 & IXZR18N50A/B Z-MOS RF Power MOSFET N-Channel Enhancement Mode Switch Mode RF MOSFET Low Capacitance Z-MOSTM MOSFET Process VDSS = 500 V Optimized for RF Operation Ideal for Class C, D, & E Applications ID25 = 19 A RDS(on) 0.37 Symbol Test Conditions Maximum Ratings TJ = 25C to 150C VDSS 500 V PDC = 350 W TJ = 25C to 150C; RGS
Другие MOSFET... IRFP31N50LPBF , IRFP3206PBF , IRFP32N50K , IRFP32N50KPBF , IRFP3306PBF , IRFP340PBF , IXZR18N50B , IXZR18N50A , 20N50 , IXZR16N60A , IXZR08N120B , IXZR08N120A , IXZH10N50LB , IXZH10N50LA , IXZ318N50 , IXZ316N60 , IXZ308N120 .
History: AOK20N60L
History: AOK20N60L



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: JMTN330N06A | JMTN2310A | JMTN11DN10A | JMTM8810KS | JMTM850P04A | JMTM8205B | JMTM8205A | JMTM3415KL | JMTM3406D | JMTM330N06A | JMTM300N03D | JMTM300C02D | JMTM2310A | JMTM170N04A | JMTLB3134K | JMTLB2N7002KDS
Popular searches
2n5401 datasheet | mj21194g | irfz34n | mn2488 | irfb438 | mj21193g | irf3710 pinout | irf9530 datasheet