IXZH10N50LB Todos los transistores

 

IXZH10N50LB MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: IXZH10N50LB
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 250 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 10 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 78 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-247AD
 

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IXZH10N50LB Datasheet (PDF)

 ..1. Size:261K  ixys
 ixzh10n50la ixzh10n50lb.pdf pdf_icon

IXZH10N50LB

IXZH10N50LA/B RF Power MOSFET N-Channel Enhancement Mode Linear 175MHz RF MOSFET VDSS = 500 V Low Capacitance Z-MOSTM MOSFET Process ID25 = 10 A Optimized for Linear Operation in Common Source Mode 150V (operating) Symbol Test Conditions Maximum Ratings TJ = 25C to 150C VDSS 500 VTJ = 25C to 150C; RGS = 1 M VDGR 500 V Continuous VGS 20 V Transient VG

Otros transistores... IRFP3306PBF , IRFP340PBF , IXZR18N50B , IXZR18N50A , IXZR16N60B , IXZR16N60A , IXZR08N120B , IXZR08N120A , CS150N03A8 , IXZH10N50LA , IXZ318N50 , IXZ316N60 , IXZ308N120 , IXZ2210N50L , IXZ210N50L , IXUN350N10 , IXUC200N055 .

History: 2SK2838K | TSM75N75CZ | LNE10R180

 

 
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