IXZH10N50LB MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: IXZH10N50LB

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 250 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 500 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 10 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 78 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1 Ohm

Encapsulados: TO-247AD

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IXZH10N50LB datasheet

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IXZH10N50LB

IXZH10N50LA/B RF Power MOSFET N-Channel Enhancement Mode Linear 175MHz RF MOSFET VDSS = 500 V Low Capacitance Z-MOSTM MOSFET Process ID25 = 10 A Optimized for Linear Operation in Common Source Mode 150V (operating) Symbol Test Conditions Maximum Ratings TJ = 25 C to 150 C VDSS 500 V TJ = 25 C to 150 C; RGS = 1 M VDGR 500 V Continuous VGS 20 V Transient VG

Otros transistores... IRFP3306PBF, IRFP340PBF, IXZR18N50B, IXZR18N50A, IXZR16N60B, IXZR16N60A, IXZR08N120B, IXZR08N120A, BS170, IXZH10N50LA, IXZ318N50, IXZ316N60, IXZ308N120, IXZ2210N50L, IXZ210N50L, IXUN350N10, IXUC200N055