IXZH10N50LB. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: IXZH10N50LB

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 250 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 500 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

Cossⓘ - Выходная емкость: 78 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1 Ohm

Тип корпуса: TO-247AD

Аналог (замена) для IXZH10N50LB

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IXZH10N50LB даташит

 ..1. Size:261K  ixys
 ixzh10n50la ixzh10n50lb.pdf pdf_icon

IXZH10N50LB

IXZH10N50LA/B RF Power MOSFET N-Channel Enhancement Mode Linear 175MHz RF MOSFET VDSS = 500 V Low Capacitance Z-MOSTM MOSFET Process ID25 = 10 A Optimized for Linear Operation in Common Source Mode 150V (operating) Symbol Test Conditions Maximum Ratings TJ = 25 C to 150 C VDSS 500 V TJ = 25 C to 150 C; RGS = 1 M VDGR 500 V Continuous VGS 20 V Transient VG

Другие IGBT... IRFP3306PBF, IRFP340PBF, IXZR18N50B, IXZR18N50A, IXZR16N60B, IXZR16N60A, IXZR08N120B, IXZR08N120A, BS170, IXZH10N50LA, IXZ318N50, IXZ316N60, IXZ308N120, IXZ2210N50L, IXZ210N50L, IXUN350N10, IXUC200N055