IXZ308N120 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: IXZ308N120

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 880 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 1200 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 8 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 59 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 2.1 Ohm

Encapsulados: SMD-6

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IXZ308N120 datasheet

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IXZ308N120

IXZ308N120 Z-MOS RF Power MOSFET N-Channel Enhancement Mode Linear 175MHz RF MOSFET N-Channel Enhancement Mode Switch Mode RF MOSFET Lo Capacitance Z-MOSTMTM MOSFET Process Low Capacitance Z-MOS MOSFET Process VDSS = 1200 V Optimized for Linear Operation Optimized for RF Operation Ideal for Class ABD, & Broadcast & Communications Applications Ideal for Class C, & C,E Applicat

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