IXZ308N120 Todos los transistores

 

IXZ308N120 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: IXZ308N120
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 880 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 1200 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 8 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 59 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 2.1 Ohm
   Paquete / Cubierta: SMD-6
 

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IXZ308N120 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:117K  ixys
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IXZ308N120

IXZ308N120 Z-MOS RF Power MOSFET N-Channel Enhancement Mode Linear 175MHz RF MOSFET N-Channel Enhancement Mode Switch Mode RF MOSFETLo Capacitance Z-MOSTMTM MOSFET Process Low Capacitance Z-MOS MOSFET Process VDSS = 1200 V Optimized for Linear Operation Optimized for RF Operation Ideal for Class ABD, & Broadcast & Communications Applications Ideal for Class C, & C,E Applicat

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History: AUIRLS8409-7P | BUK7M67-60E | AOTL66610 | STW45N65M5 | SI4435DYPBF | BF2040R | PHM18NQ15T

 

 
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