IXZ308N120 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: IXZ308N120
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 880 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 1200 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 6.5 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
Cossⓘ - Выходная емкость: 59 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2.1 Ohm
Тип корпуса: SMD-6
Аналог (замена) для IXZ308N120
IXZ308N120 Datasheet (PDF)
ixz308n120.pdf
IXZ308N120 Z-MOS RF Power MOSFET N-Channel Enhancement Mode Linear 175MHz RF MOSFET N-Channel Enhancement Mode Switch Mode RF MOSFETLo Capacitance Z-MOSTMTM MOSFET Process Low Capacitance Z-MOS MOSFET Process VDSS = 1200 V Optimized for Linear Operation Optimized for RF Operation Ideal for Class ABD, & Broadcast & Communications Applications Ideal for Class C, & C,E Applicat
Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 20N50 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: SUN830I | SUN830F | SUN830DN | SUN830D | SUN82A20CI | SUN50A20CI | SUN09A40D | SUN05A50ZF | SUN05A50ZD | SUN05A25F | SRN1865FD | SRN1860FD | SRN1860F | SRN1665FD | SRN1660FD | SRN1660F