IXZ308N120. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: IXZ308N120

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 880 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 1200 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

Cossⓘ - Выходная емкость: 59 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2.1 Ohm

Тип корпуса: SMD-6

Аналог (замена) для IXZ308N120

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IXZ308N120 даташит

 ..1. Size:117K  ixys
 ixz308n120.pdf pdf_icon

IXZ308N120

IXZ308N120 Z-MOS RF Power MOSFET N-Channel Enhancement Mode Linear 175MHz RF MOSFET N-Channel Enhancement Mode Switch Mode RF MOSFET Lo Capacitance Z-MOSTMTM MOSFET Process Low Capacitance Z-MOS MOSFET Process VDSS = 1200 V Optimized for Linear Operation Optimized for RF Operation Ideal for Class ABD, & Broadcast & Communications Applications Ideal for Class C, & C,E Applicat

Другие IGBT... IXZR16N60B, IXZR16N60A, IXZR08N120B, IXZR08N120A, IXZH10N50LB, IXZH10N50LA, IXZ318N50, IXZ316N60, 2SK3568, IXZ2210N50L, IXZ210N50L, IXUN350N10, IXUC200N055, IXUC100N055, IXTY90N055T2, IXTY8N65X2, IXTY4N65X2