Справочник MOSFET. IXZ308N120

 

IXZ308N120 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: IXZ308N120
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 880 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 1200 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   Cossⓘ - Выходная емкость: 59 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2.1 Ohm
   Тип корпуса: SMD-6
 

 Аналог (замена) для IXZ308N120

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IXZ308N120 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:117K  ixys
 ixz308n120.pdf pdf_icon

IXZ308N120

IXZ308N120 Z-MOS RF Power MOSFET N-Channel Enhancement Mode Linear 175MHz RF MOSFET N-Channel Enhancement Mode Switch Mode RF MOSFETLo Capacitance Z-MOSTMTM MOSFET Process Low Capacitance Z-MOS MOSFET Process VDSS = 1200 V Optimized for Linear Operation Optimized for RF Operation Ideal for Class ABD, & Broadcast & Communications Applications Ideal for Class C, & C,E Applicat

Другие MOSFET... IXZR16N60B , IXZR16N60A , IXZR08N120B , IXZR08N120A , IXZH10N50LB , IXZH10N50LA , IXZ318N50 , IXZ316N60 , 5N65 , IXZ2210N50L , IXZ210N50L , IXUN350N10 , IXUC200N055 , IXUC100N055 , IXTY90N055T2 , IXTY8N65X2 , IXTY4N65X2 .

History: CJ3139KDW | RJK5013DPE | MTW35N15E | FDS5170N7 | IXTQ96N15P | SIHFBE20

 

 
Back to Top

 


 
.