IXZ210N50L Todos los transistores

 

IXZ210N50L MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: IXZ210N50L
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 470 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 10 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 77 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1 Ohm
   Paquete / Cubierta: SMD-6
     - Selección de transistores por parámetros

 

IXZ210N50L Datasheet (PDF)

 ..1. Size:318K  ixys
 ixz210n50l.pdf pdf_icon

IXZ210N50L

IXZ210N50L & IXZ2210N50L RF Power MOSFET N-Channel Enhancement Mode Linear 175MHz RF MOSFET VDSS = 500 V Low Capacitance Z-MOSTM MOSFET Process ID25 = 10 A Optimized for Linear Operation Ideal for Class AB & C, Broadcast & Communications Applications 150V (operating) Note: All data is per the IXZ210N50L single ended device unless otherwise noted. 300 & 550 Watts Symbol Tes

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History: APT12060B2VR | FDMS3660AS | KRF7343 | STP95N2LH5 | UT20N03 | S68N08ZRN | WPM4801

 

 
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