IXZ210N50L Todos los transistores

 

IXZ210N50L MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: IXZ210N50L
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 470 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 10 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 77 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1 Ohm
   Paquete / Cubierta: SMD-6
 

 Búsqueda de reemplazo de IXZ210N50L MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

IXZ210N50L Datasheet (PDF)

 ..1. Size:318K  ixys
 ixz210n50l.pdf pdf_icon

IXZ210N50L

IXZ210N50L & IXZ2210N50L RF Power MOSFET N-Channel Enhancement Mode Linear 175MHz RF MOSFET VDSS = 500 V Low Capacitance Z-MOSTM MOSFET Process ID25 = 10 A Optimized for Linear Operation Ideal for Class AB & C, Broadcast & Communications Applications 150V (operating) Note: All data is per the IXZ210N50L single ended device unless otherwise noted. 300 & 550 Watts Symbol Tes

Otros transistores... IXZR08N120B , IXZR08N120A , IXZH10N50LB , IXZH10N50LA , IXZ318N50 , IXZ316N60 , IXZ308N120 , IXZ2210N50L , 13N50 , IXUN350N10 , IXUC200N055 , IXUC100N055 , IXTY90N055T2 , IXTY8N65X2 , IXTY4N65X2 , IXTY2N65X2 , IXTY1R4N120P .

History: 1N65G-T92-K | LP2307LT1G | ME95N03T | GM2302 | AO4800 | AON7518 | IPB77N06S2-12

 

 
Back to Top

 


 
.