Справочник MOSFET. IXZ210N50L

 

IXZ210N50L MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: IXZ210N50L
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 470 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 6.5 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   Cossⓘ - Выходная емкость: 77 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1 Ohm
   Тип корпуса: SMD-6

 Аналог (замена) для IXZ210N50L

 

 

IXZ210N50L Datasheet (PDF)

 ..1. Size:318K  ixys
 ixz210n50l.pdf

IXZ210N50L IXZ210N50L

IXZ210N50L & IXZ2210N50L RF Power MOSFET N-Channel Enhancement Mode Linear 175MHz RF MOSFET VDSS = 500 V Low Capacitance Z-MOSTM MOSFET Process ID25 = 10 A Optimized for Linear Operation Ideal for Class AB & C, Broadcast & Communications Applications 150V (operating) Note: All data is per the IXZ210N50L single ended device unless otherwise noted. 300 & 550 Watts Symbol Tes

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , IRFB3607 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

 

 
Back to Top