Справочник MOSFET. IXZ210N50L

 

IXZ210N50L Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: IXZ210N50L
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 470 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   Cossⓘ - Выходная емкость: 77 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1 Ohm
   Тип корпуса: SMD-6
 

 Аналог (замена) для IXZ210N50L

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IXZ210N50L Datasheet (PDF)

 ..1. Size:318K  ixys
 ixz210n50l.pdf pdf_icon

IXZ210N50L

IXZ210N50L & IXZ2210N50L RF Power MOSFET N-Channel Enhancement Mode Linear 175MHz RF MOSFET VDSS = 500 V Low Capacitance Z-MOSTM MOSFET Process ID25 = 10 A Optimized for Linear Operation Ideal for Class AB & C, Broadcast & Communications Applications 150V (operating) Note: All data is per the IXZ210N50L single ended device unless otherwise noted. 300 & 550 Watts Symbol Tes

Другие MOSFET... IXZR08N120B , IXZR08N120A , IXZH10N50LB , IXZH10N50LA , IXZ318N50 , IXZ316N60 , IXZ308N120 , IXZ2210N50L , 13N50 , IXUN350N10 , IXUC200N055 , IXUC100N055 , IXTY90N055T2 , IXTY8N65X2 , IXTY4N65X2 , IXTY2N65X2 , IXTY1R4N120P .

History: 2SK448 | NCE60N390D | BRCS120N06SYM | NP80N06NLG | P1850EF | P1403EV8 | DMN67D8LW

 

 
Back to Top

 


 
.