IXUN350N10 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: IXUN350N10

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 830 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 100 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 350 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 175 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 3 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0025 Ohm

Encapsulados: SOT-227B

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IXUN350N10 datasheet

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IXUN350N10

IXUN350N10 VDSS = 100 V Trench Power MOSFET ID25 = 350 A Very low RDS(on) RDS(on) typ. = 1.9 m KS D SOT-227 B, G miniBLOC G KS S S D G = Gate, D = Drain, S = Source, KS = Kelvin Source Features MOSFET trench MOSFET Symbol Conditions Maximum Ratings very low on state resistance RDSon VDSS TVJ = 25 C to 150 C 100 V fast switching fast body diode VG

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