IXUN350N10 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: IXUN350N10
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 830 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 350 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 640 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 175 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 3 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0025 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT-227B

Búsqueda de reemplazo de MOSFET IXUN350N10

IXUN350N10 Datasheet (PDF)

..1. Size:302K ixys
ixun350n10.pdf

IXUN350N10VDSS = 100 VTrench Power MOSFETID25 = 350 AVery low RDS(on)RDS(on) typ. = 1.9 mKSDSOT-227 B,GminiBLOCGKSSSDG = Gate, D = Drain,S = Source, KS = Kelvin SourceFeaturesMOSFET trench MOSFETSymbol Conditions Maximum Ratings very low on state resistance RDSonVDSS TVJ = 25C to 150C 100 V fast switching fast body diodeVG

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Liste

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