IXUN350N10 Todos los transistores

 

IXUN350N10 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: IXUN350N10
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 830 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 350 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 175 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 3 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0025 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT-227B
 

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IXUN350N10 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:302K  ixys
 ixun350n10.pdf pdf_icon

IXUN350N10

IXUN350N10VDSS = 100 VTrench Power MOSFETID25 = 350 AVery low RDS(on)RDS(on) typ. = 1.9 mKSDSOT-227 B,GminiBLOCGKSSSDG = Gate, D = Drain,S = Source, KS = Kelvin SourceFeaturesMOSFET trench MOSFETSymbol Conditions Maximum Ratings very low on state resistance RDSonVDSS TVJ = 25C to 150C 100 V fast switching fast body diodeVG

Otros transistores... IXZR08N120A , IXZH10N50LB , IXZH10N50LA , IXZ318N50 , IXZ316N60 , IXZ308N120 , IXZ2210N50L , IXZ210N50L , SKD502T , IXUC200N055 , IXUC100N055 , IXTY90N055T2 , IXTY8N65X2 , IXTY4N65X2 , IXTY2N65X2 , IXTY1R4N120P , IXTY1N120P .

History: AP9478GM | IPS80R1K4P7 | JCS12N65CT | BLP012N08-T | SGSP363 | 2SK1446 | NP160N055TUJ

 

 
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