Справочник MOSFET. IXUN350N10

 

IXUN350N10 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: IXUN350N10
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 830 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 350 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 175 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 3 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0025 Ohm
   Тип корпуса: SOT-227B
 

 Аналог (замена) для IXUN350N10

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IXUN350N10 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:302K  ixys
 ixun350n10.pdf pdf_icon

IXUN350N10

IXUN350N10VDSS = 100 VTrench Power MOSFETID25 = 350 AVery low RDS(on)RDS(on) typ. = 1.9 mKSDSOT-227 B,GminiBLOCGKSSSDG = Gate, D = Drain,S = Source, KS = Kelvin SourceFeaturesMOSFET trench MOSFETSymbol Conditions Maximum Ratings very low on state resistance RDSonVDSS TVJ = 25C to 150C 100 V fast switching fast body diodeVG

Другие MOSFET... IXZR08N120A , IXZH10N50LB , IXZH10N50LA , IXZ318N50 , IXZ316N60 , IXZ308N120 , IXZ2210N50L , IXZ210N50L , SKD502T , IXUC200N055 , IXUC100N055 , IXTY90N055T2 , IXTY8N65X2 , IXTY4N65X2 , IXTY2N65X2 , IXTY1R4N120P , IXTY1N120P .

History: NCEP8818AS | 2SK2677

 

 
Back to Top

 


 
.