IXUN350N10. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: IXUN350N10

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 830 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 350 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 175 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 3 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0025 Ohm

Тип корпуса: SOT-227B

Аналог (замена) для IXUN350N10

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IXUN350N10 даташит

 ..1. Size:302K  ixys
 ixun350n10.pdf pdf_icon

IXUN350N10

IXUN350N10 VDSS = 100 V Trench Power MOSFET ID25 = 350 A Very low RDS(on) RDS(on) typ. = 1.9 m KS D SOT-227 B, G miniBLOC G KS S S D G = Gate, D = Drain, S = Source, KS = Kelvin Source Features MOSFET trench MOSFET Symbol Conditions Maximum Ratings very low on state resistance RDSon VDSS TVJ = 25 C to 150 C 100 V fast switching fast body diode VG

Другие IGBT... IXZR08N120A, IXZH10N50LB, IXZH10N50LA, IXZ318N50, IXZ316N60, IXZ308N120, IXZ2210N50L, IXZ210N50L, RFP50N06, IXUC200N055, IXUC100N055, IXTY90N055T2, IXTY8N65X2, IXTY4N65X2, IXTY2N65X2, IXTY1R4N120P, IXTY1N120P