Справочник MOSFET. IXUN350N10

 

IXUN350N10 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: IXUN350N10
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 830 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 350 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 175 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 3 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0025 Ohm
   Тип корпуса: SOT-227B
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

IXUN350N10 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:302K  ixys
 ixun350n10.pdf pdf_icon

IXUN350N10

IXUN350N10VDSS = 100 VTrench Power MOSFETID25 = 350 AVery low RDS(on)RDS(on) typ. = 1.9 mKSDSOT-227 B,GminiBLOCGKSSSDG = Gate, D = Drain,S = Source, KS = Kelvin SourceFeaturesMOSFET trench MOSFETSymbol Conditions Maximum Ratings very low on state resistance RDSonVDSS TVJ = 25C to 150C 100 V fast switching fast body diodeVG

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

History: NCE60N390K | AON6661 | UPA573CT | MTP15N05E | BLS65R560-D | STF16NM50N | SWN4N70D1

 

 
Back to Top

 


 
.