Справочник MOSFET. IXUN350N10

 

IXUN350N10 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: IXUN350N10
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 830 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 350 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 175 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 3 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0025 Ohm
   Тип корпуса: SOT-227B

 Аналог (замена) для IXUN350N10

 

 

IXUN350N10 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:302K  ixys
 ixun350n10.pdf

IXUN350N10 IXUN350N10

IXUN350N10VDSS = 100 VTrench Power MOSFETID25 = 350 AVery low RDS(on)RDS(on) typ. = 1.9 mKSDSOT-227 B,GminiBLOCGKSSSDG = Gate, D = Drain,S = Source, KS = Kelvin SourceFeaturesMOSFET trench MOSFETSymbol Conditions Maximum Ratings very low on state resistance RDSonVDSS TVJ = 25C to 150C 100 V fast switching fast body diodeVG

Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , IRLB4132 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .

 

 
Back to Top