IXUC200N055 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: IXUC200N055

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 300 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 55 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 200 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 115 nS

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0051 Ohm

Encapsulados: ISOPLUS-220

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IXUC200N055 datasheet

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IXUC200N055

ADVANCED TECHNICAL INFORMATION Trench Power MOSFET IXUC200N055 VDSS = 55 V ISOPLUS220TM ID25 = 200 A Electrically Isolated Back Surface RDS(on)= 5.1 mW ISOPLUS 220TM Symbol Test Conditions Maximum Ratings G D VDSS TJ = 25 C to 150 C55 V S VGS Continuous 20 V Isolated back surface* ID25 TC = 25 C; Note 1 200 A G = Gate, D = Drain, S = Source ID90 TC = 90 C, Note 1 160 A * Pa

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