Справочник MOSFET. IXUC200N055

 

IXUC200N055 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: IXUC200N055
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 300 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 55 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 200 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 115 ns
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0051 Ohm
   Тип корпуса: ISOPLUS-220
 

 Аналог (замена) для IXUC200N055

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IXUC200N055 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:397K  ixys
 ixuc200n055.pdf pdf_icon

IXUC200N055

ADVANCED TECHNICAL INFORMATIONTrench Power MOSFET IXUC200N055 VDSS = 55 VISOPLUS220TM ID25 = 200 AElectrically Isolated Back Surface RDS(on)= 5.1 mWISOPLUS 220TMSymbol Test Conditions Maximum RatingsGDVDSS TJ = 25C to 150C55 VSVGS Continuous 20 VIsolated back surface*ID25 TC = 25C; Note 1 200 A G = Gate, D = Drain,S = SourceID90 TC = 90C, Note 1 160 A* Pa

Другие MOSFET... IXZH10N50LB , IXZH10N50LA , IXZ318N50 , IXZ316N60 , IXZ308N120 , IXZ2210N50L , IXZ210N50L , IXUN350N10 , IRFZ46N , IXUC100N055 , IXTY90N055T2 , IXTY8N65X2 , IXTY4N65X2 , IXTY2N65X2 , IXTY1R4N120P , IXTY1N120P , IXTX210P10T .

History: AF2301PWL | SUD50N04-05L | UTT25P06 | AP95T06GS | SLD80R850SJ | 12N70KG-TQ2-R

 

 
Back to Top

 


 
.