Справочник MOSFET. IXUC200N055

 

IXUC200N055 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: IXUC200N055
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 300 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 55 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 200 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 200 nC
   trⓘ - Время нарастания: 115 ns
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0051 Ohm
   Тип корпуса: ISOPLUS-220

 Аналог (замена) для IXUC200N055

 

 

IXUC200N055 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:397K  ixys
 ixuc200n055.pdf

IXUC200N055 IXUC200N055

ADVANCED TECHNICAL INFORMATIONTrench Power MOSFET IXUC200N055 VDSS = 55 VISOPLUS220TM ID25 = 200 AElectrically Isolated Back Surface RDS(on)= 5.1 mWISOPLUS 220TMSymbol Test Conditions Maximum RatingsGDVDSS TJ = 25C to 150C55 VSVGS Continuous 20 VIsolated back surface*ID25 TC = 25C; Note 1 200 A G = Gate, D = Drain,S = SourceID90 TC = 90C, Note 1 160 A* Pa

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top