IXUC200N055. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: IXUC200N055

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 300 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 55 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 200 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 115 ns

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0051 Ohm

Тип корпуса: ISOPLUS-220

Аналог (замена) для IXUC200N055

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IXUC200N055 даташит

 ..1. Size:397K  ixys
 ixuc200n055.pdf pdf_icon

IXUC200N055

ADVANCED TECHNICAL INFORMATION Trench Power MOSFET IXUC200N055 VDSS = 55 V ISOPLUS220TM ID25 = 200 A Electrically Isolated Back Surface RDS(on)= 5.1 mW ISOPLUS 220TM Symbol Test Conditions Maximum Ratings G D VDSS TJ = 25 C to 150 C55 V S VGS Continuous 20 V Isolated back surface* ID25 TC = 25 C; Note 1 200 A G = Gate, D = Drain, S = Source ID90 TC = 90 C, Note 1 160 A * Pa

Другие IGBT... IXZH10N50LB, IXZH10N50LA, IXZ318N50, IXZ316N60, IXZ308N120, IXZ2210N50L, IXZ210N50L, IXUN350N10, SI2302, IXUC100N055, IXTY90N055T2, IXTY8N65X2, IXTY4N65X2, IXTY2N65X2, IXTY1R4N120P, IXTY1N120P, IXTX210P10T