IXTY90N055T2 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: IXTY90N055T2

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 150 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 55 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 90 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 21 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 420 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0084 Ohm

Encapsulados: TO-252

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IXTY90N055T2 datasheet

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IXTY90N055T2

TrenchT2TM IXTY90N055T2 VDSS = 55V IXTA90N055T2 ID25 = 90A Power MOSFETs IXTP90N055T2 RDS(on) 8.4m N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated TO-252 (IXTY) G S D (Tab) TO-263 AA (IXTA) Symbol Test Conditions Maximum Ratings G VDSS TJ = 25 C to 175 C55 V S VDGR TJ = 25 C to 175 C, RGS = 1M 55 V D (Tab) VGSM Transient 20 V TO-220AB

Otros transistores... IXZ318N50, IXZ316N60, IXZ308N120, IXZ2210N50L, IXZ210N50L, IXUN350N10, IXUC200N055, IXUC100N055, 18N50, IXTY8N65X2, IXTY4N65X2, IXTY2N65X2, IXTY1R4N120P, IXTY1N120P, IXTX210P10T, IXTX20N150, IXTX120P20T