IXTY90N055T2. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: IXTY90N055T2

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 150 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 55 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 90 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 21 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 420 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0084 Ohm

Тип корпуса: TO-252

Аналог (замена) для IXTY90N055T2

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IXTY90N055T2 даташит

 ..1. Size:214K  ixys
 ixty90n055t2.pdf pdf_icon

IXTY90N055T2

TrenchT2TM IXTY90N055T2 VDSS = 55V IXTA90N055T2 ID25 = 90A Power MOSFETs IXTP90N055T2 RDS(on) 8.4m N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated TO-252 (IXTY) G S D (Tab) TO-263 AA (IXTA) Symbol Test Conditions Maximum Ratings G VDSS TJ = 25 C to 175 C55 V S VDGR TJ = 25 C to 175 C, RGS = 1M 55 V D (Tab) VGSM Transient 20 V TO-220AB

Другие IGBT... IXZ318N50, IXZ316N60, IXZ308N120, IXZ2210N50L, IXZ210N50L, IXUN350N10, IXUC200N055, IXUC100N055, 18N50, IXTY8N65X2, IXTY4N65X2, IXTY2N65X2, IXTY1R4N120P, IXTY1N120P, IXTX210P10T, IXTX20N150, IXTX120P20T