Справочник MOSFET. IXTY90N055T2

 

IXTY90N055T2 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: IXTY90N055T2
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 150 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 55 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 90 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 21 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 420 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0084 Ohm
   Тип корпуса: TO-252
 

 Аналог (замена) для IXTY90N055T2

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IXTY90N055T2 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:214K  ixys
 ixty90n055t2.pdf pdf_icon

IXTY90N055T2

TrenchT2TM IXTY90N055T2 VDSS = 55VIXTA90N055T2 ID25 = 90APower MOSFETs IXTP90N055T2 RDS(on) 8.4m N-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedTO-252 (IXTY)GSD (Tab)TO-263 AA (IXTA)Symbol Test Conditions Maximum RatingsGVDSS TJ = 25C to 175C55 VSVDGR TJ = 25C to 175C, RGS = 1M 55 VD (Tab)VGSM Transient 20 VTO-220AB

Другие MOSFET... IXZ318N50 , IXZ316N60 , IXZ308N120 , IXZ2210N50L , IXZ210N50L , IXUN350N10 , IXUC200N055 , IXUC100N055 , 75N75 , IXTY8N65X2 , IXTY4N65X2 , IXTY2N65X2 , IXTY1R4N120P , IXTY1N120P , IXTX210P10T , IXTX20N150 , IXTX120P20T .

History: NTB18N06G | BUK9K35-60E

 

 
Back to Top

 


 
.