IXTY8N65X2 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: IXTY8N65X2

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 150 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 650 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 8 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 28 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 495 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.5 Ohm

Encapsulados: TO-252

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IXTY8N65X2 datasheet

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 ixta8n65x2 ixtp8n65x2 ixty8n65x2.pdf pdf_icon

IXTY8N65X2

Preliminary Technical Information X2-Class VDSS = 650V IXTY8N65X2 Power MOSFET ID25 = 8A IXTA8N65X2 RDS(on) 500m IXTP8N65X2 N-Channel Enhancement Mode TO-252 (IXTY) G S Symbol Test Conditions Maximum Ratings D (Tab) VDSS TJ = 25 C to 150 C 650 V TO-263 (IXTA) VDGR TJ = 25 C to 150 C, RGS = 1M 650 V VGSS Continuous 30 V G

Otros transistores... IXZ316N60, IXZ308N120, IXZ2210N50L, IXZ210N50L, IXUN350N10, IXUC200N055, IXUC100N055, IXTY90N055T2, 20N50, IXTY4N65X2, IXTY2N65X2, IXTY1R4N120P, IXTY1N120P, IXTX210P10T, IXTX20N150, IXTX120P20T, IXTX120N65X2