IXTY8N65X2 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: IXTY8N65X2
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 150 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 650 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 8 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 28 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 495 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.5 Ohm
Paquete / Cubierta: TO-252
Búsqueda de reemplazo de IXTY8N65X2 MOSFET
IXTY8N65X2 Datasheet (PDF)
ixta8n65x2 ixtp8n65x2 ixty8n65x2.pdf

Preliminary Technical InformationX2-Class VDSS = 650VIXTY8N65X2Power MOSFET ID25 = 8AIXTA8N65X2 RDS(on) 500m IXTP8N65X2N-Channel Enhancement ModeTO-252 (IXTY)G SSymbol Test Conditions Maximum RatingsD (Tab)VDSS TJ = 25C to 150C 650 VTO-263 (IXTA)VDGR TJ = 25C to 150C, RGS = 1M 650 VVGSS Continuous 30 VG
Otros transistores... IXZ316N60 , IXZ308N120 , IXZ2210N50L , IXZ210N50L , IXUN350N10 , IXUC200N055 , IXUC100N055 , IXTY90N055T2 , 2N60 , IXTY4N65X2 , IXTY2N65X2 , IXTY1R4N120P , IXTY1N120P , IXTX210P10T , IXTX20N150 , IXTX120P20T , IXTX120N65X2 .
History: DMN1002UCA6 | IPS80R1K4P7 | JCS12N65CT | 2SK1446 | SGSP363 | BLP012N08-T | NP160N055TUJ
History: DMN1002UCA6 | IPS80R1K4P7 | JCS12N65CT | 2SK1446 | SGSP363 | BLP012N08-T | NP160N055TUJ



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: MPT035N08S | MPT035N08P | MPG150N10S | MPG150N10P | MPG120N06S | MPG120N06P | MPG08N68S | MPG08N68P | MPF10N65 | MDT4N65 | MDT30P10D | MD70N10 | MD50N20 | MD25N50 | MD20N50 | MD100N20
Popular searches
2sc1845 | p60nf06 | 2sa1837 | ksc1845 transistor | irf630 datasheet | mpsa13 equivalent | c5198 | 2sc1969 transistor