Справочник MOSFET. IXTY8N65X2

 

IXTY8N65X2 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: IXTY8N65X2
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 150 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 28 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 495 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.5 Ohm
   Тип корпуса: TO-252
 

 Аналог (замена) для IXTY8N65X2

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IXTY8N65X2 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:238K  ixys
 ixta8n65x2 ixtp8n65x2 ixty8n65x2.pdf pdf_icon

IXTY8N65X2

Preliminary Technical InformationX2-Class VDSS = 650VIXTY8N65X2Power MOSFET ID25 = 8AIXTA8N65X2 RDS(on) 500m IXTP8N65X2N-Channel Enhancement ModeTO-252 (IXTY)G SSymbol Test Conditions Maximum RatingsD (Tab)VDSS TJ = 25C to 150C 650 VTO-263 (IXTA)VDGR TJ = 25C to 150C, RGS = 1M 650 VVGSS Continuous 30 VG

Другие MOSFET... IXZ316N60 , IXZ308N120 , IXZ2210N50L , IXZ210N50L , IXUN350N10 , IXUC200N055 , IXUC100N055 , IXTY90N055T2 , 2N60 , IXTY4N65X2 , IXTY2N65X2 , IXTY1R4N120P , IXTY1N120P , IXTX210P10T , IXTX20N150 , IXTX120P20T , IXTX120N65X2 .

History: IXFX220N17T2 | HMS110N15 | PMZ1000UN

 

 
Back to Top

 


 
.