IXTY2N65X2 Todos los transistores

 

IXTY2N65X2 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: IXTY2N65X2
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 55 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 19 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 129 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 2.3 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-252
 

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IXTY2N65X2 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:183K  ixys
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IXTY2N65X2

Preliminary Technical InformationX2-Class VDSS = 650VIXTY2N65X2Power MOSFET ID25 = 2AIXTP2N65X2 RDS(on) 2.3 N-Channel Enhancement ModeTO-252 (IXTY)G SSymbol Test Conditions Maximum RatingsD (Tab)VDSS TJ = 25C to 150C 650 VVDGR TJ = 25C to 150C, RGS = 1M 650 VTO-220 (IXTP)VGSS Continuous 30 VVGSM Transient

 9.1. Size:90K  ixys
 ixtp2r4n50p ixty2r4n50p.pdf pdf_icon

IXTY2N65X2

IXTP 2R4N50P VDSS = 500 VPolarHVTMIXTY 2R4N50P ID25 = 2.4 APower MOSFET RDS(on) 3.75 N-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedSymbol Test Conditions Maximum Ratings TO-220 (IXTP)VDSS TJ = 25C to 150C 500 VVDGR TJ = 25C to 150C; RGS = 1 M 500 VVGSM Transient 40 V(TAB)GVGSM Continuous 30 V DSID25 TC = 25C 2.4 A

Otros transistores... IXZ2210N50L , IXZ210N50L , IXUN350N10 , IXUC200N055 , IXUC100N055 , IXTY90N055T2 , IXTY8N65X2 , IXTY4N65X2 , IRFB31N20D , IXTY1R4N120P , IXTY1N120P , IXTX210P10T , IXTX20N150 , IXTX120P20T , IXTX120N65X2 , IXTX102N65X2 , IXTV230N085TS .

History: SVF13N50S | UTC654 | IPB015N08N5

 

 
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