IXTY2N65X2. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: IXTY2N65X2

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 55 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 650 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 19 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 129 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2.3 Ohm

Тип корпуса: TO-252

Аналог (замена) для IXTY2N65X2

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IXTY2N65X2 даташит

 ..1. Size:183K  ixys
 ixtp2n65x2 ixty2n65x2.pdf pdf_icon

IXTY2N65X2

Preliminary Technical Information X2-Class VDSS = 650V IXTY2N65X2 Power MOSFET ID25 = 2A IXTP2N65X2 RDS(on) 2.3 N-Channel Enhancement Mode TO-252 (IXTY) G S Symbol Test Conditions Maximum Ratings D (Tab) VDSS TJ = 25 C to 150 C 650 V VDGR TJ = 25 C to 150 C, RGS = 1M 650 V TO-220 (IXTP) VGSS Continuous 30 V VGSM Transient

 9.1. Size:90K  ixys
 ixtp2r4n50p ixty2r4n50p.pdf pdf_icon

IXTY2N65X2

IXTP 2R4N50P VDSS = 500 V PolarHVTM IXTY 2R4N50P ID25 = 2.4 A Power MOSFET RDS(on) 3.75 N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated Symbol Test Conditions Maximum Ratings TO-220 (IXTP) VDSS TJ = 25 C to 150 C 500 V VDGR TJ = 25 C to 150 C; RGS = 1 M 500 V VGSM Transient 40 V (TAB) G VGSM Continuous 30 V D S ID25 TC = 25 C 2.4 A

Другие IGBT... IXZ2210N50L, IXZ210N50L, IXUN350N10, IXUC200N055, IXUC100N055, IXTY90N055T2, IXTY8N65X2, IXTY4N65X2, IRF2807, IXTY1R4N120P, IXTY1N120P, IXTX210P10T, IXTX20N150, IXTX120P20T, IXTX120N65X2, IXTX102N65X2, IXTV230N085TS