IXTT02N450HV MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: IXTT02N450HV

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 113 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 4500 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.2 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 48 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 19 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 750 Ohm

Encapsulados: TO-268

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IXTT02N450HV datasheet

 ..1. Size:201K  ixys
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IXTT02N450HV

Advance Technical Information High Voltage VDSS = 4500V IXTA02N450HV Power MOSFETs ID25 = 200mA IXTT02N450HV RDS(on) 750 N-Channel Enhancement Mode TO-263 (IXTA) G S D (Tab) Symbol Test Conditions Maximum Ratings VDSS TJ = 25 C to 150 C 4500 V TO-268 (IXTT) VDGR TJ = 25 C to 150 C, RGS = 1M 4500 V VGSS Continuous 20 V G VGSM Trans

Otros transistores... IXTT2N300P3HV, IXTT2N170D2, IXTT1N450HV, IXTT1N300P3HV, IXTT1N250HV, IXTT140P10T, IXTT12N150HV, IXTT12N150, EMB04N03H, IXTR68P20T, IXTR210P10T, IXTR140P10T, IXTR120P20T, IXTR102N65X2, IXTQ80N28T, IXTQ32N65X, IXTQ180N055T