Справочник MOSFET. IXTT02N450HV

 

IXTT02N450HV Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: IXTT02N450HV
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 113 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 4500 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.2 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 48 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 19 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 750 Ohm
   Тип корпуса: TO-268
 

 Аналог (замена) для IXTT02N450HV

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IXTT02N450HV Datasheet (PDF)

 ..1. Size:201K  ixys
 ixta02n450hv ixtt02n450hv.pdf pdf_icon

IXTT02N450HV

Advance Technical InformationHigh Voltage VDSS = 4500VIXTA02N450HVPower MOSFETsID25 = 200mAIXTT02N450HV RDS(on) 750 N-Channel Enhancement ModeTO-263 (IXTA)GS D (Tab)Symbol Test Conditions Maximum RatingsVDSS TJ = 25C to 150C 4500 VTO-268 (IXTT)VDGR TJ = 25C to 150C, RGS = 1M 4500 VVGSS Continuous 20 VGVGSM Trans

Другие MOSFET... IXTT2N300P3HV , IXTT2N170D2 , IXTT1N450HV , IXTT1N300P3HV , IXTT1N250HV , IXTT140P10T , IXTT12N150HV , IXTT12N150 , 2SK3918 , IXTR68P20T , IXTR210P10T , IXTR140P10T , IXTR120P20T , IXTR102N65X2 , IXTQ80N28T , IXTQ32N65X , IXTQ180N055T .

History: CJ3139KDW | APM4012NU | IXTQ96N15P | FDS5170N7 | CEB6060N | F5043

 

 
Back to Top

 


 
.