Справочник MOSFET. IXTT02N450HV

 

IXTT02N450HV MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: IXTT02N450HV
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 113 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 4500 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 6.5 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.2 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 10.4 nC
   trⓘ - Время нарастания: 48 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 19 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 750 Ohm
   Тип корпуса: TO-268

 Аналог (замена) для IXTT02N450HV

 

 

IXTT02N450HV Datasheet (PDF)

 ..1. Size:201K  ixys
 ixta02n450hv ixtt02n450hv.pdf

IXTT02N450HV IXTT02N450HV

Advance Technical InformationHigh Voltage VDSS = 4500VIXTA02N450HVPower MOSFETsID25 = 200mAIXTT02N450HV RDS(on) 750 N-Channel Enhancement ModeTO-263 (IXTA)GS D (Tab)Symbol Test Conditions Maximum RatingsVDSS TJ = 25C to 150C 4500 VTO-268 (IXTT)VDGR TJ = 25C to 150C, RGS = 1M 4500 VVGSS Continuous 20 VGVGSM Trans

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top