IXTR68P20T Todos los transistores

 

IXTR68P20T MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: IXTR68P20T
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 270 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 15 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 44 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 29 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1300 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.064 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-247 ISOPLUS-247
 

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IXTR68P20T Datasheet (PDF)

 ..1. Size:198K  ixys
 ixtr68p20t.pdf pdf_icon

IXTR68P20T

Advance Technical InformationTrenchPTM VDSS = - 200VIXTR68P20TPower MOSFET ID25 = - 44A RDS(on) 64m P-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedISOPLUS247E153432Symbol Test Conditions Maximum RatingsVDSS TJ = 25C to 150C - 200 VGVDGR TJ = 25C to 150C, RGS = 1M - 200 VIsolated TabDSVGSS Continuous 15 VVGSM Transient

Otros transistores... IXTT2N170D2 , IXTT1N450HV , IXTT1N300P3HV , IXTT1N250HV , IXTT140P10T , IXTT12N150HV , IXTT12N150 , IXTT02N450HV , MMD60R360PRH , IXTR210P10T , IXTR140P10T , IXTR120P20T , IXTR102N65X2 , IXTQ80N28T , IXTQ32N65X , IXTQ180N055T , IXTQ130N20T .

History: BSD235C | OSG60R108FZF | WFW13N50 | UF640L-TQ2-R | 2N5398 | PHB96NQ03LT | IXTP32N65X

 

 
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