Справочник MOSFET. IXTR68P20T

 

IXTR68P20T Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: IXTR68P20T
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 270 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 15 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 44 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 29 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 1300 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.064 Ohm
   Тип корпуса: TO-247 ISOPLUS-247
 

 Аналог (замена) для IXTR68P20T

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IXTR68P20T Datasheet (PDF)

 ..1. Size:198K  ixys
 ixtr68p20t.pdf pdf_icon

IXTR68P20T

Advance Technical InformationTrenchPTM VDSS = - 200VIXTR68P20TPower MOSFET ID25 = - 44A RDS(on) 64m P-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedISOPLUS247E153432Symbol Test Conditions Maximum RatingsVDSS TJ = 25C to 150C - 200 VGVDGR TJ = 25C to 150C, RGS = 1M - 200 VIsolated TabDSVGSS Continuous 15 VVGSM Transient

Другие MOSFET... IXTT2N170D2 , IXTT1N450HV , IXTT1N300P3HV , IXTT1N250HV , IXTT140P10T , IXTT12N150HV , IXTT12N150 , IXTT02N450HV , MMD60R360PRH , IXTR210P10T , IXTR140P10T , IXTR120P20T , IXTR102N65X2 , IXTQ80N28T , IXTQ32N65X , IXTQ180N055T , IXTQ130N20T .

History: IPP60R380C6 | APM8010KC | AP2C018LM | STN3400A | IXTJ4N150 | 7N10Z | HGB046NE6AL

 

 
Back to Top

 


 
.