IXTR210P10T MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: IXTR210P10T

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 390 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 100 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 15 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 158 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 98 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 4070 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.008 Ohm

Encapsulados: TO-247 ISOPLUS-247

 Búsqueda de reemplazo de IXTR210P10T MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

IXTR210P10T datasheet

 ..1. Size:197K  ixys
 ixtr210p10t.pdf pdf_icon

IXTR210P10T

 9.1. Size:151K  ixys
 ixtr200n10p.pdf pdf_icon

IXTR210P10T

Otros transistores... IXTT1N450HV, IXTT1N300P3HV, IXTT1N250HV, IXTT140P10T, IXTT12N150HV, IXTT12N150, IXTT02N450HV, IXTR68P20T, MMIS60R580P, IXTR140P10T, IXTR120P20T, IXTR102N65X2, IXTQ80N28T, IXTQ32N65X, IXTQ180N055T, IXTQ130N20T, IXTP8N65X2M