IXTR210P10T. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: IXTR210P10T

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 390 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 15 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 158 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 98 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 4070 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.008 Ohm

Тип корпуса: TO-247 ISOPLUS-247

Аналог (замена) для IXTR210P10T

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IXTR210P10T даташит

 ..1. Size:197K  ixys
 ixtr210p10t.pdf pdf_icon

IXTR210P10T

 9.1. Size:151K  ixys
 ixtr200n10p.pdf pdf_icon

IXTR210P10T

Другие IGBT... IXTT1N450HV, IXTT1N300P3HV, IXTT1N250HV, IXTT140P10T, IXTT12N150HV, IXTT12N150, IXTT02N450HV, IXTR68P20T, MMIS60R580P, IXTR140P10T, IXTR120P20T, IXTR102N65X2, IXTQ80N28T, IXTQ32N65X, IXTQ180N055T, IXTQ130N20T, IXTP8N65X2M