Справочник MOSFET. IXTR210P10T

 

IXTR210P10T Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: IXTR210P10T
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 390 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 15 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 158 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 98 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 4070 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.008 Ohm
   Тип корпуса: TO-247 ISOPLUS-247
 

 Аналог (замена) для IXTR210P10T

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IXTR210P10T Datasheet (PDF)

 ..1. Size:197K  ixys
 ixtr210p10t.pdf pdf_icon

IXTR210P10T

Advance Technical InformationTrenchPTM VDSS = -100VIXTR210P10TPower MOSFET ID25 = -158A RDS(on) 8m P-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedFast Intrinsic RectifierISOPLUS247E153432Symbol Test Conditions Maximum RatingsVDSS TJ = 25C to 150C -100 VGVDGR TJ = 25C to 150C, RGS = 1M -100 VIsolated TabDSVGSS Continuous

 9.1. Size:151K  ixys
 ixtr200n10p.pdf pdf_icon

IXTR210P10T

VDSS = 100 VIXTR 200N10PPolarTM HiPerFETID25 = 120 APower MOSFET RDS(on) 8 m Electrically Isolated TabN-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedFast Recovery DiodeISOPLUS 247TM (IXTR)Symbol Test Conditions Maximum Ratings E153432VDSS TJ = 25 C to 175 C 100 VVDGR TJ = 25 C to 175 C; RGS = 1 M 100 VVGS 20 VVGSM

Другие MOSFET... IXTT1N450HV , IXTT1N300P3HV , IXTT1N250HV , IXTT140P10T , IXTT12N150HV , IXTT12N150 , IXTT02N450HV , IXTR68P20T , 2N7002 , IXTR140P10T , IXTR120P20T , IXTR102N65X2 , IXTQ80N28T , IXTQ32N65X , IXTQ180N055T , IXTQ130N20T , IXTP8N65X2M .

History: HMS28N65 | IPB80N04S4-04 | 30N20 | 2SK2044LS | STP10NM60ND | SM4025PSU | AP2328GN

 

 
Back to Top

 


 
.