IXTN210P10T MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: IXTN210P10T
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 830 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 100 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 15 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 210 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 4.5 V
Carga de la puerta (Qg): 740 nC
Tiempo de subida (tr): 98 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 4070 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.0075 Ohm
Paquete / Cubierta: SOT-227B
Búsqueda de reemplazo de MOSFET IXTN210P10T
IXTN210P10T Datasheet (PDF)
ixtn210p10t.pdf
Advance Technical InformationTrenchPTM VDSS = -100VIXTN210P10TPower MOSFET ID25 = - 210A RDS(on) 7.5m trr 200nsP-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedFast Intrinsic RectifierminiBLOCE153432SGSymbol Test Conditions Maximum RatingsSVDSS TJ = 25C to 150C -100 VDVDGR TJ = 25C to 150C, RGS = 1M
ixtk21n100 ixtn21n100.pdf
IXTK 21N100 VDSS = 1000 VHigh VoltageIXTN 21N100 ID25 = 21 AMegaMOSTMFETsRDS(on) = 0.55 N-Channel, Enhancement ModeTO-264 AA (IXTK)Symbol Test Conditions Maximum RatingsIXTK IXTNVDSS TJ = 25C to 150C 1000 1000 VGD (TAB)DVDGR TJ = 25C to 150C; RGS = 1 M 1000 1000 VSVGS Continuous 20 20 VminiBLOC, SOT-227 BVGSM Transient 30
ixtn200n10l2.pdf
Advance Technical Information Linear L2TM Power VDSS = 100V IXTN200N10L2 MOSFET w/ Extended ID25 = 178A FBSOA RDS(on) 11m N-Channel Enhancement Mode Guaranteed FBSOA Avalanche Rated miniBLOC, SOT-227 E153432 S Symbol Test Conditions Maximum Ratings G VDSS TJ = 25C to 150C 100 VVDGR TJ = 25C to 150C, RGS = 1M 100 V
Otros transistores... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
