IXTN210P10T MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: IXTN210P10T
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 830 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 100 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 15 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4.5 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 210 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 740 nC
Время нарастания (tr): 98 ns
Выходная емкость (Cd): 4070 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.0075 Ohm
Тип корпуса: SOT-227B
Аналог (замена) для IXTN210P10T
IXTN210P10T Datasheet (PDF)
ixtn210p10t.pdf
Advance Technical InformationTrenchPTM VDSS = -100VIXTN210P10TPower MOSFET ID25 = - 210A RDS(on) 7.5m trr 200nsP-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedFast Intrinsic RectifierminiBLOCE153432SGSymbol Test Conditions Maximum RatingsSVDSS TJ = 25C to 150C -100 VDVDGR TJ = 25C to 150C, RGS = 1M
ixtk21n100 ixtn21n100.pdf
IXTK 21N100 VDSS = 1000 VHigh VoltageIXTN 21N100 ID25 = 21 AMegaMOSTMFETsRDS(on) = 0.55 N-Channel, Enhancement ModeTO-264 AA (IXTK)Symbol Test Conditions Maximum RatingsIXTK IXTNVDSS TJ = 25C to 150C 1000 1000 VGD (TAB)DVDGR TJ = 25C to 150C; RGS = 1 M 1000 1000 VSVGS Continuous 20 20 VminiBLOC, SOT-227 BVGSM Transient 30
ixtn200n10l2.pdf
Advance Technical Information Linear L2TM Power VDSS = 100V IXTN200N10L2 MOSFET w/ Extended ID25 = 178A FBSOA RDS(on) 11m N-Channel Enhancement Mode Guaranteed FBSOA Avalanche Rated miniBLOC, SOT-227 E153432 S Symbol Test Conditions Maximum Ratings G VDSS TJ = 25C to 150C 100 VVDGR TJ = 25C to 150C, RGS = 1M 100 V
Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , RFP50N06 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .
