IXTM7N45 Todos los transistores

 

IXTM7N45 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: IXTM7N45
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 125 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 450 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 7 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 20 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 155 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.1 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO3
 

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IXTM7N45 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:64K  ixys
 ixtm7n45 ixtm7n45a ixtm7n50 ixtm7n50a ixtp7n45 ixtp7n45a ixtp7n50 ixtp7n50a.pdf pdf_icon

IXTM7N45

 9.1. Size:579K  ixys
 ixth67n10 ixtm67n10 ixth75n10 ixtm75n10 ixtt75n10.pdf pdf_icon

IXTM7N45

VDSS ID25 RDS(on)MegaMOSTMFETIXTH / IXTM 67N10100 V 67 A 25 mIXTH / IXTM 75N10100 V 75 A 20 mIXTT 75N10N-Channel Enhancement ModeTO-247 AD (IXTH)Symbol Test Conditions Maximum Ratings(TAB)VDSS TJ = 25C to 150C 100 VVDGR TJ = 25C to 150C; RGS = 1 M 100 VTO-204 AE (IXTM)VGS Continuous 20 VVGSM Transient 30

Otros transistores... IXTP160N085T , IXTP12N65X2 , IXTN210P10T , IXTN120P20T , IXTN102N65X2 , IXTM7N50A , IXTM7N50 , IXTM7N45A , 4435 , IXTM6N60A , IXTM6N60 , IXTM4N95A , IXTM4N95 , IXTM4N90A , IXTM4N90 , IXTM4N80A , IXTM4N80 .

History: AP40T03GP | AP3N4R0S | TPM62D0LFB | S68N08ZRN | STW18NM60ND | AOTF12N50 | HSU0115

 

 
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