IXTM7N45. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: IXTM7N45

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 125 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 450 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 20 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 155 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.1 Ohm

Тип корпуса: TO3

Аналог (замена) для IXTM7N45

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IXTM7N45 даташит

 ..1. Size:64K  ixys
 ixtm7n45 ixtm7n45a ixtm7n50 ixtm7n50a ixtp7n45 ixtp7n45a ixtp7n50 ixtp7n50a.pdf pdf_icon

IXTM7N45

 9.1. Size:579K  ixys
 ixth67n10 ixtm67n10 ixth75n10 ixtm75n10 ixtt75n10.pdf pdf_icon

IXTM7N45

VDSS ID25 RDS(on) MegaMOSTMFET IXTH / IXTM 67N10 100 V 67 A 25 m IXTH / IXTM 75N10 100 V 75 A 20 m IXTT 75N10 N-Channel Enhancement Mode TO-247 AD (IXTH) Symbol Test Conditions Maximum Ratings (TAB) VDSS TJ = 25 C to 150 C 100 V VDGR TJ = 25 C to 150 C; RGS = 1 M 100 V TO-204 AE (IXTM) VGS Continuous 20 V VGSM Transient 30

Другие IGBT... IXTP160N085T, IXTP12N65X2, IXTN210P10T, IXTN120P20T, IXTN102N65X2, IXTM7N50A, IXTM7N50, IXTM7N45A, 5N65, IXTM6N60A, IXTM6N60, IXTM4N95A, IXTM4N95, IXTM4N90A, IXTM4N90, IXTM4N80A, IXTM4N80