IXTJ6N150 Todos los transistores

 

IXTJ6N150 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: IXTJ6N150
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 125 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 1500 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 20 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 170 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 3.85 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-247
 

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IXTJ6N150 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:150K  ixys
 ixtj6n150.pdf pdf_icon

IXTJ6N150

Advance Technical InformationHigh Voltage VDSS = 1500VIXTJ6N150ID25 = 3APower MOSFET RDS(on) 3.85 (Electrically Isolated Tab)N-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedFast Intrinsic DiodeISO TO-247TME153432Symbol Test Conditions Maximum RatingsVDSS TJ = 25C to 150C 1500 VVDGR TJ = 25C to 150C, RGS = 1M 1500 VGDIsolat

Otros transistores... IXTL2X200N085T , IXTL2X180N10T , IXTL2N450 , IXTK210P10T , IXTK20N150 , IXTK120P20T , IXTK120N65X2 , IXTK102N65X2 , 60N06 , IXTJ4N150 , IXTJ3N150 , IXTI76N25T , IXTI12N50P , IXTI10N60P , IXTH80N65X2 , IXTH80N075L2 , IXTH64N65X .

History: PMZB600UNE | IRF122 | 2N65G-TMS4-T | DCC160M120G1 | HUFA75639S3S | SWP088R08E8T | PMZ950UPE

 

 
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