IXTJ6N150 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: IXTJ6N150
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 125 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 1500 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 5 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 67 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 20 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 170 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 3.85 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-247

Búsqueda de reemplazo de MOSFET IXTJ6N150

IXTJ6N150 Datasheet (PDF)

..1. Size:150K ixys
ixtj6n150.pdf

Advance Technical InformationHigh Voltage VDSS = 1500VIXTJ6N150ID25 = 3APower MOSFET RDS(on) 3.85 (Electrically Isolated Tab)N-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedFast Intrinsic DiodeISO TO-247TME153432Symbol Test Conditions Maximum RatingsVDSS TJ = 25C to 150C 1500 VVDGR TJ = 25C to 150C, RGS = 1M 1500 VGDIsolat

Otros transistores... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 20N50 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

Liste

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