Справочник MOSFET. IXTJ6N150

 

IXTJ6N150 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: IXTJ6N150
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 125 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 1500 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 20 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 170 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 3.85 Ohm
   Тип корпуса: TO-247
 

 Аналог (замена) для IXTJ6N150

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IXTJ6N150 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:150K  ixys
 ixtj6n150.pdf pdf_icon

IXTJ6N150

Advance Technical InformationHigh Voltage VDSS = 1500VIXTJ6N150ID25 = 3APower MOSFET RDS(on) 3.85 (Electrically Isolated Tab)N-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedFast Intrinsic DiodeISO TO-247TME153432Symbol Test Conditions Maximum RatingsVDSS TJ = 25C to 150C 1500 VVDGR TJ = 25C to 150C, RGS = 1M 1500 VGDIsolat

Другие MOSFET... IXTL2X200N085T , IXTL2X180N10T , IXTL2N450 , IXTK210P10T , IXTK20N150 , IXTK120P20T , IXTK120N65X2 , IXTK102N65X2 , 60N06 , IXTJ4N150 , IXTJ3N150 , IXTI76N25T , IXTI12N50P , IXTI10N60P , IXTH80N65X2 , IXTH80N075L2 , IXTH64N65X .

History: TPM5121NEC6 | PMPB12UNEA | 2SK2228 | AP4434AGYT-HF | HGN090N06SL | SWP8N65D | SSM3K329R

 

 
Back to Top

 


 
.