IXTJ4N150 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: IXTJ4N150

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 110 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 1500 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2.5 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 23 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 105 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 6 Ohm

Encapsulados: TO-247

 Búsqueda de reemplazo de IXTJ4N150 MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

IXTJ4N150 datasheet

 ..1. Size:149K  ixys
 ixtj4n150.pdf pdf_icon

IXTJ4N150

Preliminary Technical Information High Voltage VDSS = 1500V IXTJ4N150 ID25 = 2.5A Power MOSFET RDS(on) 6 (Electrically Isolated Tab) N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated Fast Intrinsic Diode ISO TO-247TM E153432 Symbol Test Conditions Maximum Ratings VDSS TJ = 25 C to 150 C 1500 V VDGR TJ = 25 C to 150 C, RGS = 1M 1500 V G D Iso

Otros transistores... IXTL2X180N10T, IXTL2N450, IXTK210P10T, IXTK20N150, IXTK120P20T, IXTK120N65X2, IXTK102N65X2, IXTJ6N150, IRF9640, IXTJ3N150, IXTI76N25T, IXTI12N50P, IXTI10N60P, IXTH80N65X2, IXTH80N075L2, IXTH64N65X, IXTH64N10L2