IXTJ4N150 Todos los transistores

 

IXTJ4N150 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: IXTJ4N150
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 110 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 1500 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2.5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 23 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 105 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 6 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-247
 

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IXTJ4N150 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:149K  ixys
 ixtj4n150.pdf pdf_icon

IXTJ4N150

Preliminary Technical InformationHigh Voltage VDSS = 1500VIXTJ4N150ID25 = 2.5APower MOSFET RDS(on) 6 (Electrically Isolated Tab)N-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedFast Intrinsic DiodeISO TO-247TME153432Symbol Test Conditions Maximum RatingsVDSS TJ = 25C to 150C 1500 VVDGR TJ = 25C to 150C, RGS = 1M 1500 VGDIso

Otros transistores... IXTL2X180N10T , IXTL2N450 , IXTK210P10T , IXTK20N150 , IXTK120P20T , IXTK120N65X2 , IXTK102N65X2 , IXTJ6N150 , AON7403 , IXTJ3N150 , IXTI76N25T , IXTI12N50P , IXTI10N60P , IXTH80N65X2 , IXTH80N075L2 , IXTH64N65X , IXTH64N10L2 .

History: BUK9E08-55B | HGP043N15S | CED02N6A | IXTY1R6N100D2 | CJS2019 | HGI110N08A | DH026N06

 

 
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