IXTJ4N150 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: IXTJ4N150
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 110 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 1500 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2.5 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
trⓘ - Время нарастания: 23 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 105 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 6 Ohm
Тип корпуса: TO-247
IXTJ4N150 Datasheet (PDF)
ixtj4n150.pdf

Preliminary Technical InformationHigh Voltage VDSS = 1500VIXTJ4N150ID25 = 2.5APower MOSFET RDS(on) 6 (Electrically Isolated Tab)N-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedFast Intrinsic DiodeISO TO-247TME153432Symbol Test Conditions Maximum RatingsVDSS TJ = 25C to 150C 1500 VVDGR TJ = 25C to 150C, RGS = 1M 1500 VGDIso
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
History: AP85U03GMT-HF | MDQ18N50GTP | IRFB3206GPBF | OSG60R108FZF | IXFH24N80P
History: AP85U03GMT-HF | MDQ18N50GTP | IRFB3206GPBF | OSG60R108FZF | IXFH24N80P



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: DH060N07D | DH060N07B | DH060N03R | DH045N06I | DH045N06F | DH045N06E | DH045N06D | DH045N06B | DH045N06 | DH045N04P | DH045N04I | DH045N04F | DH045N04E | DH045N04D | DH045N04B | DH045N04
Popular searches
2sd667 | 2sc1111 | bc239 transistor equivalent | 3sk41 | 2sc2240 transistor | c3198 | 2sc793 | 2sd313 replacement