IXTI76N25T MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: IXTI76N25T

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 460 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 250 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 76 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 25 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 480 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.039 Ohm

Encapsulados: TO-262

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IXTI76N25T datasheet

 ..1. Size:205K  ixys
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IXTI76N25T

Preliminary Technical Information IXTA76N25T IXTH76N25T VDSS = 250V Trench Gate IXTI76N25T IXTP76N25T ID25 = 76A Power MOSFET IXTQ76N25T RDS(on) 39m N-Channel Enhancement Mode Typical avalanche BV = 300V TO-263 (IXTA) TO-247 (IXTH) TO-262 (IXTI) TO-220 (IXTP) G S G G G D D (TAB) D (TAB) (TAB) (TAB) S S S Symbol Test Conditions Maximum

Otros transistores... IXTK210P10T, IXTK20N150, IXTK120P20T, IXTK120N65X2, IXTK102N65X2, IXTJ6N150, IXTJ4N150, IXTJ3N150, AON7403, IXTI12N50P, IXTI10N60P, IXTH80N65X2, IXTH80N075L2, IXTH64N65X, IXTH64N10L2, IXTH62N65X2, IXTH52N65X