IXTI76N25T Todos los transistores

 

IXTI76N25T MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: IXTI76N25T
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 460 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 250 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 76 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 25 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 480 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.039 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-262
     - Selección de transistores por parámetros

 

IXTI76N25T Datasheet (PDF)

 ..1. Size:205K  ixys
 ixti76n25t.pdf pdf_icon

IXTI76N25T

Preliminary Technical InformationIXTA76N25T IXTH76N25TVDSS = 250VTrench GateIXTI76N25T IXTP76N25TID25 = 76APower MOSFETIXTQ76N25T RDS(on) 39m N-Channel Enhancement ModeTypical avalanche BV = 300VTO-263 (IXTA) TO-247 (IXTH) TO-262 (IXTI) TO-220 (IXTP)GSGGGDD(TAB) D (TAB) (TAB) (TAB)SSSSymbol Test Conditions Maximum

Otros transistores... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

History: STB21NM60N | RU30100R | FTK50N06 | NP50P06KDG | HD2307 | APT5018BLL | CS8N65FA9H

 

 
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