Справочник MOSFET. IXTI76N25T

 

IXTI76N25T MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: IXTI76N25T
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 460 W
   Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 250 V
   Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V
   Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 5 V
   Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 76 A
   Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
   Общий заряд затвора (Qg): 92 nC
   Время нарастания (tr): 25 ns
   Выходная емкость (Cd): 480 pf
   Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.039 Ohm
   Тип корпуса: TO-262

 Аналог (замена) для IXTI76N25T

 

 

IXTI76N25T Datasheet (PDF)

 ..1. Size:205K  ixys
 ixti76n25t.pdf

IXTI76N25T IXTI76N25T

Preliminary Technical InformationIXTA76N25T IXTH76N25TVDSS = 250VTrench GateIXTI76N25T IXTP76N25TID25 = 76APower MOSFETIXTQ76N25T RDS(on) 39m N-Channel Enhancement ModeTypical avalanche BV = 300VTO-263 (IXTA) TO-247 (IXTH) TO-262 (IXTI) TO-220 (IXTP)GSGGGDD(TAB) D (TAB) (TAB) (TAB)SSSSymbol Test Conditions Maximum

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

History: STI100N10F7

 

 
Back to Top