Справочник MOSFET. IXTI76N25T

 

IXTI76N25T Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: IXTI76N25T
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 460 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 250 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 76 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 25 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 480 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.039 Ohm
   Тип корпуса: TO-262
 

 Аналог (замена) для IXTI76N25T

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IXTI76N25T Datasheet (PDF)

 ..1. Size:205K  ixys
 ixti76n25t.pdf pdf_icon

IXTI76N25T

Preliminary Technical InformationIXTA76N25T IXTH76N25TVDSS = 250VTrench GateIXTI76N25T IXTP76N25TID25 = 76APower MOSFETIXTQ76N25T RDS(on) 39m N-Channel Enhancement ModeTypical avalanche BV = 300VTO-263 (IXTA) TO-247 (IXTH) TO-262 (IXTI) TO-220 (IXTP)GSGGGDD(TAB) D (TAB) (TAB) (TAB)SSSSymbol Test Conditions Maximum

Другие MOSFET... IXTK210P10T , IXTK20N150 , IXTK120P20T , IXTK120N65X2 , IXTK102N65X2 , IXTJ6N150 , IXTJ4N150 , IXTJ3N150 , EMB04N03H , IXTI12N50P , IXTI10N60P , IXTH80N65X2 , IXTH80N075L2 , IXTH64N65X , IXTH64N10L2 , IXTH62N65X2 , IXTH52N65X .

History: VS3628GA | CSD16322Q5 | 2SK3019

 

 
Back to Top

 


 
.