IXTI76N25T. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: IXTI76N25T

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 460 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 250 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 76 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 25 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 480 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.039 Ohm

Тип корпуса: TO-262

Аналог (замена) для IXTI76N25T

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IXTI76N25T даташит

 ..1. Size:205K  ixys
 ixti76n25t.pdf pdf_icon

IXTI76N25T

Preliminary Technical Information IXTA76N25T IXTH76N25T VDSS = 250V Trench Gate IXTI76N25T IXTP76N25T ID25 = 76A Power MOSFET IXTQ76N25T RDS(on) 39m N-Channel Enhancement Mode Typical avalanche BV = 300V TO-263 (IXTA) TO-247 (IXTH) TO-262 (IXTI) TO-220 (IXTP) G S G G G D D (TAB) D (TAB) (TAB) (TAB) S S S Symbol Test Conditions Maximum

Другие IGBT... IXTK210P10T, IXTK20N150, IXTK120P20T, IXTK120N65X2, IXTK102N65X2, IXTJ6N150, IXTJ4N150, IXTJ3N150, AON7403, IXTI12N50P, IXTI10N60P, IXTH80N65X2, IXTH80N075L2, IXTH64N65X, IXTH64N10L2, IXTH62N65X2, IXTH52N65X