Справочник MOSFET. IXTI76N25T

 

IXTI76N25T MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: IXTI76N25T
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 460 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 250 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 5 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 76 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 92 nC
   trⓘ - Время нарастания: 25 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 480 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.039 Ohm
   Тип корпуса: TO-262

 Аналог (замена) для IXTI76N25T

 

 

IXTI76N25T Datasheet (PDF)

 ..1. Size:205K  ixys
 ixti76n25t.pdf

IXTI76N25T IXTI76N25T

Preliminary Technical InformationIXTA76N25T IXTH76N25TVDSS = 250VTrench GateIXTI76N25T IXTP76N25TID25 = 76APower MOSFETIXTQ76N25T RDS(on) 39m N-Channel Enhancement ModeTypical avalanche BV = 300VTO-263 (IXTA) TO-247 (IXTH) TO-262 (IXTI) TO-220 (IXTP)GSGGGDD(TAB) D (TAB) (TAB) (TAB)SSSSymbol Test Conditions Maximum

Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 2SK3568 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

History: 5N65G | ELM321504A

 

 
Back to Top