IXTF1N450 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: IXTF1N450
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 165 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 4500 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.9 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   trⓘ - Tiempo de subida: 60 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 78 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 85 Ohm
   Paquete / Cubierta: I4-PAK
     - Selección ⓘ de transistores por parámetros