IXTF1N450. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: IXTF1N450

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 165 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 4500 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.9 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 60 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 78 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 85 Ohm

Тип корпуса: I4-PAK

Аналог (замена) для IXTF1N450

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IXTF1N450 даташит

 ..1. Size:151K  ixys
 ixtf1n450.pdf pdf_icon

IXTF1N450

Advance Technical Information High Voltage VDSS = 4500V IXTF1N450 Power MOSFET ID25 = 0.9A RDS(on) 85 (Electrically Isolated Tab) ISOPLUS i4-PakTM N-Channel Enhancement Mode Symbol Test Conditions Maximum Ratings 1 2 Isolated Tab VDSS TJ = 25 C to 150 C 4500 V 5 VDGR TJ = 25 C to 150 C, RGS = 1M 4500 V VGSS Continuous 20 V 1 = Gate

Другие IGBT... IXTH12N45, IXTH12N150, IXTH10N60A, IXTH10N60, IXTH06N220P3HV, IXTH05N250P3HV, IXTH04N300P3HV, IXTH02N450HV, 2N7002, IXTF02N450, IXTA8N65X2, IXTA80N075L2, IXTA64N10L2, IXTA4N65X2, IXTA4N150HV, IXTA3N150HV, IXTA3N120TRL