IXTF02N450 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: IXTF02N450

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 78 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 4500 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.2 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 48 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 19 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 750 Ohm

Encapsulados: I4-PAK

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IXTF02N450 datasheet

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IXTF02N450

Advance Technical Information High Voltage VDSS = 4500V IXTF02N450 Power MOSFET ID25 = 200mA RDS(on) 750 (Electrically Isolated Tab) ISOPLUS i4-PakTM N-Channel Enhancement Mode Symbol Test Conditions Maximum Ratings 1 2 Isolated Tab VDSS TJ = 25 C to 150 C 4500 V 5 VDGR TJ = 25 C to 150 C, RGS = 1M 4500 V VGSS Continuous 20 V 1 = Ga

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IXTF02N450

Advance Technical Information High Voltage VDSS = 4000V IXTF03N400 Power MOSFET ID25 = 300mA RDS(on) 300 ( Electrically Isolated Tab) N-Channel Enhancement Mode ISOPLUS i4-PakTM Symbol Test Conditions Maximum Ratings VDSS TJ = 25 C to 150 C 4000 V VDGR TJ = 25 C to 150 C, RGS = 1M 4000 V 1 VGSS Continuous 20 V 2 5 Isolated Tab VGSM T

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