IXTF02N450 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: IXTF02N450
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 78 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 4500 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.2 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 6.5 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 10.4 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 48 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 19 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 750 Ohm
   Paquete / Cubierta: I4-PAK

Búsqueda de reemplazo de MOSFET IXTF02N450

IXTF02N450 Datasheet (PDF)

..1. Size:154K ixys
ixtf02n450.pdf

Advance Technical InformationHigh Voltage VDSS = 4500VIXTF02N450Power MOSFETID25 = 200mA RDS(on) 750 (Electrically Isolated Tab)ISOPLUS i4-PakTMN-Channel Enhancement ModeSymbol Test Conditions Maximum Ratings12Isolated TabVDSS TJ = 25C to 150C 4500 V5VDGR TJ = 25C to 150C, RGS = 1M 4500 VVGSS Continuous 20 V1 = Ga

9.1. Size:149K ixys
ixtf03n400.pdf

Advance Technical InformationHigh Voltage VDSS = 4000VIXTF03N400Power MOSFETID25 = 300mA RDS(on) 300 ( Electrically Isolated Tab)N-Channel Enhancement ModeISOPLUS i4-PakTMSymbol Test Conditions Maximum RatingsVDSS TJ = 25C to 150C 4000 VVDGR TJ = 25C to 150C, RGS = 1M 4000 V1VGSS Continuous 20 V25 Isolated TabVGSM T

Otros transistores... IXTH12N150 , IXTH10N60A , IXTH10N60 , IXTH06N220P3HV , IXTH05N250P3HV , IXTH04N300P3HV , IXTH02N450HV , IXTF1N450 , IRFP260 , IXTA8N65X2 , IXTA80N075L2 , IXTA64N10L2 , IXTA4N65X2 , IXTA4N150HV , IXTA3N150HV , IXTA3N120TRL , IXTA3N120HV .

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: