IXTF02N450 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: IXTF02N450
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 78 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 4500 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.2 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 48 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 19 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 750 Ohm
Paquete / Cubierta: I4-PAK
Búsqueda de reemplazo de IXTF02N450 MOSFET
IXTF02N450 Datasheet (PDF)
ixtf02n450.pdf
Advance Technical InformationHigh Voltage VDSS = 4500VIXTF02N450Power MOSFETID25 = 200mA RDS(on) 750 (Electrically Isolated Tab)ISOPLUS i4-PakTMN-Channel Enhancement ModeSymbol Test Conditions Maximum Ratings12Isolated TabVDSS TJ = 25C to 150C 4500 V5VDGR TJ = 25C to 150C, RGS = 1M 4500 VVGSS Continuous 20 V1 = Ga
ixtf03n400.pdf
Advance Technical InformationHigh Voltage VDSS = 4000VIXTF03N400Power MOSFETID25 = 300mA RDS(on) 300 ( Electrically Isolated Tab)N-Channel Enhancement ModeISOPLUS i4-PakTMSymbol Test Conditions Maximum RatingsVDSS TJ = 25C to 150C 4000 VVDGR TJ = 25C to 150C, RGS = 1M 4000 V1VGSS Continuous 20 V25 Isolated TabVGSM T
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Liste
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