IXTF02N450 Todos los transistores

 

IXTF02N450 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: IXTF02N450
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 78 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 4500 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.2 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 6.5 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 10.4 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 48 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 19 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 750 Ohm
   Paquete / Cubierta: I4-PAK
     - Selección de transistores por parámetros

 

IXTF02N450 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:154K  ixys
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IXTF02N450

Advance Technical InformationHigh Voltage VDSS = 4500VIXTF02N450Power MOSFETID25 = 200mA RDS(on) 750 (Electrically Isolated Tab)ISOPLUS i4-PakTMN-Channel Enhancement ModeSymbol Test Conditions Maximum Ratings12Isolated TabVDSS TJ = 25C to 150C 4500 V5VDGR TJ = 25C to 150C, RGS = 1M 4500 VVGSS Continuous 20 V1 = Ga

 9.1. Size:149K  ixys
 ixtf03n400.pdf pdf_icon

IXTF02N450

Advance Technical InformationHigh Voltage VDSS = 4000VIXTF03N400Power MOSFETID25 = 300mA RDS(on) 300 ( Electrically Isolated Tab)N-Channel Enhancement ModeISOPLUS i4-PakTMSymbol Test Conditions Maximum RatingsVDSS TJ = 25C to 150C 4000 VVDGR TJ = 25C to 150C, RGS = 1M 4000 V1VGSS Continuous 20 V25 Isolated TabVGSM T

Otros transistores... FMM50-025TF , FMM60-02TF , FMM75-01F , FMP26-02P , FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , 5N60 , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , GMM3x180-004X2-SMD , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL .

History: SVF12N65STR | FQPF7N65CF105 | VN0360ND | NCEA02P20K | NCE60P45AK | BLM7002 | SSD30N03-40D

 

 
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