Справочник MOSFET. IXTF02N450

 

IXTF02N450 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: IXTF02N450
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 78 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 4500 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.2 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 48 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 19 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 750 Ohm
   Тип корпуса: I4-PAK
 

 Аналог (замена) для IXTF02N450

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IXTF02N450 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:154K  ixys
 ixtf02n450.pdf pdf_icon

IXTF02N450

Advance Technical InformationHigh Voltage VDSS = 4500VIXTF02N450Power MOSFETID25 = 200mA RDS(on) 750 (Electrically Isolated Tab)ISOPLUS i4-PakTMN-Channel Enhancement ModeSymbol Test Conditions Maximum Ratings12Isolated TabVDSS TJ = 25C to 150C 4500 V5VDGR TJ = 25C to 150C, RGS = 1M 4500 VVGSS Continuous 20 V1 = Ga

 9.1. Size:149K  ixys
 ixtf03n400.pdf pdf_icon

IXTF02N450

Advance Technical InformationHigh Voltage VDSS = 4000VIXTF03N400Power MOSFETID25 = 300mA RDS(on) 300 ( Electrically Isolated Tab)N-Channel Enhancement ModeISOPLUS i4-PakTMSymbol Test Conditions Maximum RatingsVDSS TJ = 25C to 150C 4000 VVDGR TJ = 25C to 150C, RGS = 1M 4000 V1VGSS Continuous 20 V25 Isolated TabVGSM T

Другие MOSFET... IXTH12N150 , IXTH10N60A , IXTH10N60 , IXTH06N220P3HV , IXTH05N250P3HV , IXTH04N300P3HV , IXTH02N450HV , IXTF1N450 , IRF1010E , IXTA8N65X2 , IXTA80N075L2 , IXTA64N10L2 , IXTA4N65X2 , IXTA4N150HV , IXTA3N150HV , IXTA3N120TRL , IXTA3N120HV .

History: SE8810 | AP2764AP-A | 4N60KG-TF2-T | CJPF05N60 | IXTA3N120TRL | IRF7807ZPBF | PA110BV

 

 
Back to Top

 


 
.