IXTA3N150HV Todos los transistores

 

IXTA3N150HV MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: IXTA3N150HV
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 250 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 1500 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 21 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 90 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 7.3 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-263
 

 Búsqueda de reemplazo de IXTA3N150HV MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

IXTA3N150HV Datasheet (PDF)

 ..1. Size:142K  ixys
 ixta3n150hv.pdf pdf_icon

IXTA3N150HV

Preliminary Technical InformationHigh Voltage VDSS = 1500VIXTA3N150HVID25 = 3APower MOSFET RDS(on) 7.3 N-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedFast Intrinsic DiodeTO-263Symbol Test Conditions Maximum RatingsGSVDSS TJ = 25C to 150C 1500 VVDGR TJ = 25C to 150C, RGS = 1M 1500 V D (Tab)VGSS Continuous 30 VVGSM Transi

 7.1. Size:562K  ixys
 ixta3n120 ixtp3n120.pdf pdf_icon

IXTA3N150HV

VDSS ID25 RDS(on)High VoltageIXTA 3N120Power MOSFETs 1200 V 3 A 4.5 IXTP 3N120N-Channel Enhancement ModeAvalanche Rated, High dv/dtSymbol Test Conditions Maximum RatingsTO-220 (IXTP)VDSS TJ = 25C to 150C 1200 VVDGR TJ = 25C to 150C; RGS = 1 M 1200 VVGS Continuous 20 VD (TAB)GVGSM Transient 30 V DSID25 TC = 25C3 AIDM TC =

 7.2. Size:560K  ixys
 ixta3n120trl.pdf pdf_icon

IXTA3N150HV

VDSS ID25 RDS(on)High VoltageIXTA 3N120Power MOSFETs 1200 V 3 A 4.5 IXTP 3N120N-Channel Enhancement ModeAvalanche Rated, High dv/dtSymbol Test Conditions Maximum RatingsTO-220 (IXTP)VDSS TJ = 25C to 150C 1200 VVDGR TJ = 25C to 150C; RGS = 1 M 1200 VVGS Continuous 20 VD (TAB)GVGSM Transient 30 V DSID25 TC = 25C3 AIDM TC =

 7.3. Size:184K  ixys
 ixta3n100d2hv.pdf pdf_icon

IXTA3N150HV

Preliminary Technical InformationHigh Voltage VDSX = 1000VIXTA3N100D2HVDepletion Mode ID(on) > 3AMOSFET RDS(on) 6 DN-ChannelGTO-263HVSGSD (Tab)Symbol Test Conditions Maximum RatingsVDSX TJ = 25C to 150C 1000 VG = Gate D = DrainVGSX Continuous 20 VS = Source Tab = DrainVGSM Transient 30 VPD TC = 25C 1

MOSTRAR MÁS

Otros transistores... IXTH02N450HV , IXTF1N450 , IXTF02N450 , IXTA8N65X2 , IXTA80N075L2 , IXTA64N10L2 , IXTA4N65X2 , IXTA4N150HV , 2SK3568 , IXTA3N120TRL , IXTA3N120HV , IXTA3N100D2HV , IXTA270N04T4 , IXTA20N65X , IXTA1N200P3HV , IXTA1N170DHV , IXTA180N055T .

History: SLF50R140SJ | BUZ77B | IPAN60R210PFD7S | P6503FMA | IRF3007S | TSM4416DCS | SPC20N65G

 

 
Back to Top

 


 
.