IXTA15N50L2 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: IXTA15N50L2
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 300 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 500 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 15 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 73 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 265 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.48 Ohm
Encapsulados: TO-263AA
Búsqueda de reemplazo de IXTA15N50L2 MOSFET
- Selecciónⓘ de transistores por parámetros
IXTA15N50L2 datasheet
ixta15n50l2.pdf
Linear L2TM VDSS = 500V IXTA15N50L2 Power MOSFETs ID25 = 15A IXTP15N50L2 RDS(on) 480m w/ Extended FBSOA IXTH15N50L2 N-Channel Enhancement Mode TO-263 AA (IXTA) Avalanche Rated G S D (Tab) Symbol Test Conditions Maximum Ratings TO-220AB (IXTP) VDSS TJ = 25 C to 150 C 500 V VDGR TJ = 25 C to 150 C, RGS = 1M 500 V VGSS Continuous 20 V
ixta152n085t ixtp152n085t.pdf
Preliminary Technical Information VDSS = 85 V IXTA152N085T TrenchMVTM ID25 = 152 A IXTP152N085T Power MOSFET RDS(on) 7.0 m N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated Symbol Test Conditions Maximum Ratings TO-263 (IXTA) VDSS TJ = 25 C to 175 C85 V VDGR TJ = 25 C to 175 C; RGS = 1 M 85 V G VGSM Transient 20 V S (TAB) ID25
ixta152n085t7.pdf
Preliminary Technical Information VDSS = 85 V IXTA152N085T7 TrenchMVTM ID25 = 152 A Power MOSFET RDS(on) 7.0 m N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated Symbol Test Conditions Maximum Ratings TO-263 (7-lead) (IXTA..7) VDSS TJ = 25 C to 175 C85 V VDGR TJ = 25 C to 175 C; RGS = 1 M 85 V VGSM Transient 20 V 1 ID25 TC = 25
ixta152n085t.pdf
Isc N-Channel MOSFET Transistor IXTA152N085T FEATURES With To-263(D2PAK) package Low input capacitance and gate charge Low gate input resistance 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Switching applications ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SYMBOL PARAMETER VALUE UNIT V Drain-Source
Otros transistores... IXTA3N120TRL, IXTA3N120HV, IXTA3N100D2HV, IXTA270N04T4, IXTA20N65X, IXTA1N200P3HV, IXTA1N170DHV, IXTA180N055T, IRFB3607, IXTA130N10T-TRL, IXTA12N65X2, IXTA08N100D2HV, IXTA05N100HV, IXTA02N450HV, IXTA02N250HV, IXTA02N250, IXKP35N60C5
History: IXTA98N075T7 | IXTF230N085T | IXTA76N075T
🌐 : EN ES РУ
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: ASDM40N60KQ | ASDM40N40E | ASDM40N100P | ASDM40DN20E | ASDM3416EZA | ASDM3415ZA | ASDM3401ZA | ASDM3401 | ASDM3400ZA | ASDM30P30BE | RM50P30DF | CRTT095N12N | CRSS028N10N | CRST030N10N | CRJQ80N65F | ASDM20N20KQ
Popular searches
2n3903 transistor | 2n4360 | 2n2613 | c2166 transistor | 2sd330 | 20n60 | ksa1013 | mje15032g datasheet
