IXTA15N50L2 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: IXTA15N50L2
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 300 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 15 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 73 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 265 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.48 Ohm
Тип корпуса: TO-263AA
Аналог (замена) для IXTA15N50L2
IXTA15N50L2 Datasheet (PDF)
ixta15n50l2.pdf
Linear L2TM VDSS = 500VIXTA15N50L2Power MOSFETs ID25 = 15AIXTP15N50L2 RDS(on) 480m w/ Extended FBSOAIXTH15N50L2N-Channel Enhancement ModeTO-263 AA (IXTA)Avalanche RatedGSD (Tab)Symbol Test Conditions Maximum RatingsTO-220AB (IXTP)VDSS TJ = 25C to 150C 500 VVDGR TJ = 25C to 150C, RGS = 1M 500 VVGSS Continuous 20 V
ixta152n085t ixtp152n085t.pdf
Preliminary Technical InformationVDSS = 85 VIXTA152N085TTrenchMVTMID25 = 152 AIXTP152N085TPower MOSFET RDS(on) 7.0 m N-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedSymbol Test Conditions Maximum RatingsTO-263 (IXTA)VDSS TJ = 25 C to 175 C85 VVDGR TJ = 25 C to 175 C; RGS = 1 M 85 VGVGSM Transient 20 VS(TAB)ID25
ixta152n085t7.pdf
Preliminary Technical InformationVDSS = 85 VIXTA152N085T7TrenchMVTMID25 = 152 APower MOSFET RDS(on) 7.0 m N-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedSymbol Test Conditions Maximum RatingsTO-263 (7-lead) (IXTA..7)VDSS TJ = 25 C to 175 C85 VVDGR TJ = 25 C to 175 C; RGS = 1 M 85 VVGSM Transient 20 V1ID25 TC = 25
ixta152n085t.pdf
Isc N-Channel MOSFET Transistor IXTA152N085TFEATURESWith To-263(D2PAK) packageLow input capacitance and gate chargeLow gate input resistance100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSSwitching applicationsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UNITV Drain-Source
Другие MOSFET... IXTA3N120TRL , IXTA3N120HV , IXTA3N100D2HV , IXTA270N04T4 , IXTA20N65X , IXTA1N200P3HV , IXTA1N170DHV , IXTA180N055T , IRFB3607 , IXTA130N10T-TRL , IXTA12N65X2 , IXTA08N100D2HV , IXTA05N100HV , IXTA02N450HV , IXTA02N250HV , IXTA02N250 , IXKP35N60C5 .
History: STU10N60M2 | MTP162M3 | IRFPE20 | DH850N10 | 25N10L-TM3-T | MTA090N02KC3
History: STU10N60M2 | MTP162M3 | IRFPE20 | DH850N10 | 25N10L-TM3-T | MTA090N02KC3
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AGM60P20R | AGM60P20D | AGM60P20AP | AGM60P14D | AGM60P14AP | AGM60P14A | AGM60P100A | AGM60P06S | AGM609S | AGM609MNA | AGM609F | AGM609D | AGM609C | AGM609AP | AGM40P26S | AGM40P26E
Popular searches
2n3903 transistor | 2n4360 | 2n2613 | c2166 transistor | 2sd330 | 20n60 | ksa1013 | mje15032g datasheet




