IXKP35N60C5 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: IXKP35N60C5

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 83 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 600 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 35 A

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 5 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 130 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.1 Ohm

Encapsulados: TO-220AB

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IXKP35N60C5 datasheet

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IXKP35N60C5

IXKH 35N60C5 Advanced Technical Information IXKP 35N60C5 ID25 = 35 A CoolMOS 1) Power MOSFET VDSS = 600 V RDS(on) max = 0.1 N-Channel Enhancement Mode Low RDSon, High VDSS MOSFET Ultra low gate charge D TO-247 AD (IXKH) G G D D(TAB) S S TO-220 AB (IXKP) G D S Features MOSFET fast CoolMOS 1) power MOSFET Symbol Conditions Maximum Ratings 4th generation V

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