Справочник MOSFET. IXKP35N60C5

 

IXKP35N60C5 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: IXKP35N60C5
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 83 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 3.9 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 35 A
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 60 nC
   tr ⓘ - Время нарастания: 5 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 130 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.1 Ohm
   Тип корпуса: TO-220AB
 

 Аналог (замена) для IXKP35N60C5

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IXKP35N60C5 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:113K  ixys
 ixkp35n60c5.pdf pdf_icon

IXKP35N60C5

IXKH 35N60C5 Advanced Technical InformationIXKP 35N60C5ID25 = 35 ACoolMOS 1) Power MOSFETVDSS = 600 VRDS(on) max = 0.1 N-Channel Enhancement ModeLow RDSon, High VDSS MOSFETUltra low gate chargeDTO-247 AD (IXKH)GGD D(TAB)SSTO-220 AB (IXKP)GDSFeaturesMOSFET fast CoolMOS 1) power MOSFETSymbol Conditions Maximum Ratings4th generationV

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRF530 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top

 


 
.