Справочник MOSFET. IXKP35N60C5

 

IXKP35N60C5 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: IXKP35N60C5
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 83 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 35 A
   trⓘ - Время нарастания: 5 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 130 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.1 Ohm
   Тип корпуса: TO-220AB

 Аналог (замена) для IXKP35N60C5

 

 

IXKP35N60C5 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:113K  ixys
 ixkp35n60c5.pdf

IXKP35N60C5 IXKP35N60C5

IXKH 35N60C5 Advanced Technical InformationIXKP 35N60C5ID25 = 35 ACoolMOS 1) Power MOSFETVDSS = 600 VRDS(on) max = 0.1 N-Channel Enhancement ModeLow RDSon, High VDSS MOSFETUltra low gate chargeDTO-247 AD (IXKH)GGD D(TAB)SSTO-220 AB (IXKP)GDSFeaturesMOSFET fast CoolMOS 1) power MOSFETSymbol Conditions Maximum Ratings4th generationV

Другие MOSFET... FMM50-025TF , FMM60-02TF , FMM75-01F , FMP26-02P , FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , 5N60 , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , GMM3x180-004X2-SMD , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL .

 

 
Back to Top