IXKP35N60C5 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: IXKP35N60C5

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 83 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 35 A

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 5 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 130 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.1 Ohm

Тип корпуса: TO-220AB

Аналог (замена) для IXKP35N60C5

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IXKP35N60C5 даташит

 ..1. Size:113K  ixys
 ixkp35n60c5.pdf pdf_icon

IXKP35N60C5

IXKH 35N60C5 Advanced Technical Information IXKP 35N60C5 ID25 = 35 A CoolMOS 1) Power MOSFET VDSS = 600 V RDS(on) max = 0.1 N-Channel Enhancement Mode Low RDSon, High VDSS MOSFET Ultra low gate charge D TO-247 AD (IXKH) G G D D(TAB) S S TO-220 AB (IXKP) G D S Features MOSFET fast CoolMOS 1) power MOSFET Symbol Conditions Maximum Ratings 4th generation V

Другие IGBT... IXTA15N50L2, IXTA130N10T-TRL, IXTA12N65X2, IXTA08N100D2HV, IXTA05N100HV, IXTA02N450HV, IXTA02N250HV, IXTA02N250, TK10A60D, IXKG25N80C, IXFY9130, IXFY5N50P3, IXFY4N60P3, IXFX90N60X, IXFX44N55Q, IXFX32N90P, IXFX30N50Q