IXKG25N80C Todos los transistores

 

IXKG25N80C MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: IXKG25N80C
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 250 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 800 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 25 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 25 nS
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.15 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-264
 

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IXKG25N80C Datasheet (PDF)

 ..1. Size:498K  ixys
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IXKG25N80C

ADVANCE TECHNICAL INFORMATION IXKG 25N80CCoolMOSTM Power MOSFETVDSS = 800 VISO264TMID25 = 25 AElectrically Isolated Back Surface RDS(on) = 150 mN-Channel Enhancement ModeLow RDS(on), High Voltage MOSFETSymbol Test Conditions Maximum RatingsISO264TMVDSS TJ = 25C to 150C 800 VVGS Continuous 20 VID25 TC = 25C 25 AGID90 TC = 90C 9 AD

Otros transistores... IXTA130N10T-TRL , IXTA12N65X2 , IXTA08N100D2HV , IXTA05N100HV , IXTA02N450HV , IXTA02N250HV , IXTA02N250 , IXKP35N60C5 , P60NF06 , IXFY9130 , IXFY5N50P3 , IXFY4N60P3 , IXFX90N60X , IXFX44N55Q , IXFX32N90P , IXFX30N50Q , IXFX260N17T .

History: VSI008N10MS | GSM3413 | 2N80L-TN3-R | BSC042NE7NS3G | NCE3035G | 2SK3705 | NCEA60ND08S

 

 
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