IXKG25N80C Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: IXKG25N80C
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 250 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 800 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 25 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 25 ns
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.15 Ohm
Тип корпуса: TO-264
Аналог (замена) для IXKG25N80C
IXKG25N80C Datasheet (PDF)
ixkg25n80c.pdf

ADVANCE TECHNICAL INFORMATION IXKG 25N80CCoolMOSTM Power MOSFETVDSS = 800 VISO264TMID25 = 25 AElectrically Isolated Back Surface RDS(on) = 150 mN-Channel Enhancement ModeLow RDS(on), High Voltage MOSFETSymbol Test Conditions Maximum RatingsISO264TMVDSS TJ = 25C to 150C 800 VVGS Continuous 20 VID25 TC = 25C 25 AGID90 TC = 90C 9 AD
Другие MOSFET... IXTA130N10T-TRL , IXTA12N65X2 , IXTA08N100D2HV , IXTA05N100HV , IXTA02N450HV , IXTA02N250HV , IXTA02N250 , IXKP35N60C5 , P60NF06 , IXFY9130 , IXFY5N50P3 , IXFY4N60P3 , IXFX90N60X , IXFX44N55Q , IXFX32N90P , IXFX30N50Q , IXFX260N17T .



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: JMTN330N06A | JMTN2310A | JMTN11DN10A | JMTM8810KS | JMTM850P04A | JMTM8205B | JMTM8205A | JMTM3415KL | JMTM3406D | JMTM330N06A | JMTM300N03D | JMTM300C02D | JMTM2310A | JMTM170N04A | JMTLB3134K | JMTLB2N7002KDS
Popular searches
2sc5198 | 2sc1971 | tip41c transistor datasheet | 2n3907 | 12n60 | mp42b transistor | c1675 transistor | c5198 transistor