Справочник MOSFET. IXKG25N80C

 

IXKG25N80C Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: IXKG25N80C
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 250 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 800 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 25 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 25 ns
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.15 Ohm
   Тип корпуса: TO-264
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

IXKG25N80C Datasheet (PDF)

 ..1. Size:498K  ixys
 ixkg25n80c.pdf pdf_icon

IXKG25N80C

ADVANCE TECHNICAL INFORMATION IXKG 25N80CCoolMOSTM Power MOSFETVDSS = 800 VISO264TMID25 = 25 AElectrically Isolated Back Surface RDS(on) = 150 mN-Channel Enhancement ModeLow RDS(on), High Voltage MOSFETSymbol Test Conditions Maximum RatingsISO264TMVDSS TJ = 25C to 150C 800 VVGS Continuous 20 VID25 TC = 25C 25 AGID90 TC = 90C 9 AD

Другие MOSFET... FMM50-025TF , FMM60-02TF , FMM75-01F , FMP26-02P , FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , 5N60 , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , GMM3x180-004X2-SMD , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL .

History: AP2P053N | 2SK1053 | DMN1006UCA6 | WMM020N06HG4 | CJPF10N60 | SLD70R900S2 | 2SK4198FG

 

 
Back to Top

 


 
.