Справочник MOSFET. IXKG25N80C

 

IXKG25N80C Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: IXKG25N80C
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 250 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 800 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 25 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 25 ns
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.15 Ohm
   Тип корпуса: TO-264
 

 Аналог (замена) для IXKG25N80C

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IXKG25N80C Datasheet (PDF)

 ..1. Size:498K  ixys
 ixkg25n80c.pdf pdf_icon

IXKG25N80C

ADVANCE TECHNICAL INFORMATION IXKG 25N80CCoolMOSTM Power MOSFETVDSS = 800 VISO264TMID25 = 25 AElectrically Isolated Back Surface RDS(on) = 150 mN-Channel Enhancement ModeLow RDS(on), High Voltage MOSFETSymbol Test Conditions Maximum RatingsISO264TMVDSS TJ = 25C to 150C 800 VVGS Continuous 20 VID25 TC = 25C 25 AGID90 TC = 90C 9 AD

Другие MOSFET... IXTA130N10T-TRL , IXTA12N65X2 , IXTA08N100D2HV , IXTA05N100HV , IXTA02N450HV , IXTA02N250HV , IXTA02N250 , IXKP35N60C5 , P60NF06 , IXFY9130 , IXFY5N50P3 , IXFY4N60P3 , IXFX90N60X , IXFX44N55Q , IXFX32N90P , IXFX30N50Q , IXFX260N17T .

 

 
Back to Top

 


 
.