IXKG25N80C MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: IXKG25N80C
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 250 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 800 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V
Пороговое напряжение включения Ugs(th): 4 V
Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 25 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 166 nC
Время нарастания (tr): 25 ns
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.15 Ohm
Тип корпуса: TO-264
Аналог (замена) для IXKG25N80C
IXKG25N80C Datasheet (PDF)
1.1. ixkg25n80c.pdf 
Size:498K _ixys
ADVANCE TECHNICAL INFORMATION IXKG 25N80C CoolMOSTM Power MOSFET VDSS = 800 V ISO264TM ID25 = 25 A Ω Electrically Isolated Back Surface RDS(on) = 150 mΩ Ω Ω Ω N-Channel Enhancement Mode Low RDS(on), High Voltage MOSFET Symbol Test Conditions Maximum Ratings ISO264TM VDSS TJ = 25°C to 150°C 800 V VGS Continuous ±20 V ID25 TC = 25°C 25 A G ID90 TC = 90°C 9 A D
Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , 2N7002 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .
