IXKG25N80C datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: IXKG25N80C  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 250 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 800 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 25 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 25 ns

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.15 Ohm

Тип корпуса: TO-264

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для IXKG25N80C

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IXKG25N80C даташит

 ..1. Size:498K  ixys
 ixkg25n80c.pdf pdf_icon

IXKG25N80C

ADVANCE TECHNICAL INFORMATION IXKG 25N80C CoolMOSTM Power MOSFET VDSS = 800 V ISO264TM ID25 = 25 A Electrically Isolated Back Surface RDS(on) = 150 m N-Channel Enhancement Mode Low RDS(on), High Voltage MOSFET Symbol Test Conditions Maximum Ratings ISO264TM VDSS TJ = 25 C to 150 C 800 V VGS Continuous 20 V ID25 TC = 25 C 25 A G ID90 TC = 90 C 9 A D

Другие IGBT... IXTA130N10T-TRL, IXTA12N65X2, IXTA08N100D2HV, IXTA05N100HV, IXTA02N450HV, IXTA02N250HV, IXTA02N250, IXKP35N60C5, 5N60, IXFY9130, IXFY5N50P3, IXFY4N60P3, IXFX90N60X, IXFX44N55Q, IXFX32N90P, IXFX30N50Q, IXFX260N17T