IXFY5N50P3 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: IXFY5N50P3

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 114 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 500 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 13 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 50 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.65 Ohm

Encapsulados: TO-252

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IXFY5N50P3 datasheet

 ..1. Size:164K  ixys
 ixfa5n50p3 ixfp5n50p3 ixfy5n50p3.pdf pdf_icon

IXFY5N50P3

Advance Technical Information Polar3 TM HiPerFETTM VDSS = 500V IXFY5N50P3 Power MOSFETs ID25 = 5A IXFA5N50P3 RDS(on) 1.65 IXFP5N50P3 N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated TO-252 (IXFY) Fast Intrinsic Rectifier G S D (Tab) Symbol Test Conditions Maximum Ratings VDSS TJ = 25 C to 150 C 500 V TO-263 AA (IXFA) VDGR TJ = 25 C to 150 C, R

Otros transistores... IXTA08N100D2HV, IXTA05N100HV, IXTA02N450HV, IXTA02N250HV, IXTA02N250, IXKP35N60C5, IXKG25N80C, IXFY9130, 4N60, IXFY4N60P3, IXFX90N60X, IXFX44N55Q, IXFX32N90P, IXFX30N50Q, IXFX260N17T, IXFX24N100Q3, IXFX210N17T