IXFY5N50P3 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: IXFY5N50P3

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 114 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 500 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 13 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 50 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.65 Ohm

Тип корпуса: TO-252

Аналог (замена) для IXFY5N50P3

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IXFY5N50P3 даташит

 ..1. Size:164K  ixys
 ixfa5n50p3 ixfp5n50p3 ixfy5n50p3.pdf pdf_icon

IXFY5N50P3

Advance Technical Information Polar3 TM HiPerFETTM VDSS = 500V IXFY5N50P3 Power MOSFETs ID25 = 5A IXFA5N50P3 RDS(on) 1.65 IXFP5N50P3 N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated TO-252 (IXFY) Fast Intrinsic Rectifier G S D (Tab) Symbol Test Conditions Maximum Ratings VDSS TJ = 25 C to 150 C 500 V TO-263 AA (IXFA) VDGR TJ = 25 C to 150 C, R

Другие IGBT... IXTA08N100D2HV, IXTA05N100HV, IXTA02N450HV, IXTA02N250HV, IXTA02N250, IXKP35N60C5, IXKG25N80C, IXFY9130, 4N60, IXFY4N60P3, IXFX90N60X, IXFX44N55Q, IXFX32N90P, IXFX30N50Q, IXFX260N17T, IXFX24N100Q3, IXFX210N17T