IXFT40N50Q MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: IXFT40N50Q
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 500 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 500 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 40 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 20 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 660 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.14 Ohm
Paquete / Cubierta: TO-268
Búsqueda de reemplazo de IXFT40N50Q MOSFET
IXFT40N50Q PDF Specs
ixft40n50q.pdf
Advanced Technical Information IXFH 40N50Q VDSS = 500 V HiPerFETTM IXFT 40N50Q ID25 = 40 A Power MOSFETs RDS(on) = 0.14 Q-Class trr 250 ns N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated, Low Qg, High dv/dt Symbol Test Conditions Maximum Ratings TO-247 AD (IXFH) VDSS TJ = 25 C to 150 C 500 V VDGR TJ = 25 C to 150 C; RGS = 1 M 500... See More ⇒
ixfh40n50q ixft40n50q.pdf
Advanced Technical Information IXFH 40N50Q VDSS = 500 V HiPerFETTM IXFT 40N50Q ID25 = 40 A Power MOSFETs RDS(on) = 0.14 Q-Class trr 250 ns N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated, Low Qg, High dv/dt Symbol Test Conditions Maximum Ratings TO-247 AD (IXFH) VDSS TJ = 25 C to 150 C 500 V VDGR TJ = 25 C to 150 C; RGS = 1 M 500... See More ⇒
ixft40n85xhv ixfh40n85x.pdf
Advance Technical Information X-Class HiPerFETTM VDSS = 850V IXFT40N85XHV Power MOSFET ID25 = 40A IXFH40N85X RDS(on) 145m N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated TO-268HV (IXFT) Fast Intrinsic Diode G Symbol Test Conditions Maximum Ratings S VDSS TJ = 25 C to 150 C 850 V D (Tab) VDGR TJ = 25 C to 150 C, RGS = 1M 850 V TO-... See More ⇒
ixfh40n30q ixft40n30q.pdf
IXFH 40N30Q HiPerFETTM VDSS = 300 V IXFT 40N30Q Power MOSFETs ID25 = 40 A Q-Class RDS(on) = 80 mW trr 250 ns N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated, High dv/dt, Low Qg Preliminary data sheet TO-268 (IXFT) Case Style Symbol Test Conditions Maximum Ratings VDSS TJ = 25 C to 150 C 300 V VDGR TJ = 25 C to 150 C; RGS = 1 MW 300 V VGS Continuous 20 V G (TAB) VGSM Transie... See More ⇒
Otros transistores... IXFT9N80Q , IXFT94N30T , IXFT94N30P3 , IXFT70N30Q3 , IXFT50N60X , IXFT50N20 , IXFT46N30T , IXFT44N50Q3 , IRF1405 , IXFT30N60X , IXFT30N60Q , IXFT30N50Q , IXFT28N50Q , IXFT23N80Q , IXFT23N60Q , IXFT18N100Q3 , IXFT17N80Q .
History: IRL3715ZL
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Liste
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