Справочник MOSFET. IXFT40N50Q

 

IXFT40N50Q Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: IXFT40N50Q
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 500 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 40 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 20 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 660 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.14 Ohm
   Тип корпуса: TO-268
 

 Аналог (замена) для IXFT40N50Q

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IXFT40N50Q Datasheet (PDF)

 ..1. Size:122K  ixys
 ixft40n50q.pdf pdf_icon

IXFT40N50Q

Advanced Technical InformationIXFH 40N50Q VDSS = 500 VHiPerFETTMIXFT 40N50Q ID25 = 40 APower MOSFETsRDS(on) = 0.14 Q-Class trr 250 ns N-Channel Enhancement ModeAvalanche Rated, Low Qg, High dv/dtSymbol Test Conditions Maximum Ratings TO-247 AD (IXFH)VDSS TJ = 25C to 150C 500 VVDGR TJ = 25C to 150C; RGS = 1 M 500

 ..2. Size:123K  ixys
 ixfh40n50q ixft40n50q.pdf pdf_icon

IXFT40N50Q

Advanced Technical InformationIXFH 40N50Q VDSS = 500 VHiPerFETTMIXFT 40N50Q ID25 = 40 APower MOSFETsRDS(on) = 0.14 Q-Class trr 250 ns N-Channel Enhancement ModeAvalanche Rated, Low Qg, High dv/dtSymbol Test Conditions Maximum Ratings TO-247 AD (IXFH)VDSS TJ = 25C to 150C 500 VVDGR TJ = 25C to 150C; RGS = 1 M 500

 7.1. Size:265K  ixys
 ixft40n85xhv ixfh40n85x.pdf pdf_icon

IXFT40N50Q

Advance Technical InformationX-Class HiPerFETTM VDSS = 850VIXFT40N85XHVPower MOSFET ID25 = 40AIXFH40N85X RDS(on) 145m N-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedTO-268HV (IXFT)Fast Intrinsic DiodeGSymbol Test Conditions Maximum RatingsSVDSS TJ = 25C to 150C 850 V D (Tab)VDGR TJ = 25C to 150C, RGS = 1M 850 VTO-

 7.2. Size:50K  ixys
 ixfh40n30q ixft40n30q.pdf pdf_icon

IXFT40N50Q

IXFH 40N30QHiPerFETTMVDSS = 300 VIXFT 40N30QPower MOSFETs ID25 = 40 AQ-Class RDS(on) = 80 mWtrr 250 nsN-Channel Enhancement ModeAvalanche Rated, High dv/dt, Low QgPreliminary data sheetTO-268 (IXFT) Case StyleSymbol Test Conditions Maximum RatingsVDSS TJ = 25C to 150C 300 VVDGR TJ = 25C to 150C; RGS = 1 MW 300 VVGS Continuous 20 VG(TAB)VGSM Transie

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... IXFT9N80Q , IXFT94N30T , IXFT94N30P3 , IXFT70N30Q3 , IXFT50N60X , IXFT50N20 , IXFT46N30T , IXFT44N50Q3 , NCEP15T14 , IXFT30N60X , IXFT30N60Q , IXFT30N50Q , IXFT28N50Q , IXFT23N80Q , IXFT23N60Q , IXFT18N100Q3 , IXFT17N80Q .

History: RJK2017DPP | BSC072N03LDG | SL2308 | AOD32324 | NCE60N670K

 

 
Back to Top

 


 
.