IXFQ94N30P3 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: IXFQ94N30P3

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1040 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 300 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 94 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 19 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 965 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.036 Ohm

Encapsulados: TO-3P

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IXFQ94N30P3 datasheet

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IXFQ94N30P3

Advance Technical Information Polar3TM HiperFETTM VDSS = 300V IXFT94N30P3 ID25 = 94A Power MOSFETs IXFQ94N30P3 RDS(on) 36m IXFH94N30P3 N-Channel Enhancement Mode TO-268 (IXFT) Avalanche Rated Fast Intrinsic Rectifier G S D (Tab) TO-3P (IXFQ) Symbol Test Conditions Maximum Ratings VDSS TJ = 25 C to 150 C 300 V G VDGR TJ = 25 C to 150 C

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 ixfp90n20x3 ixfq90n20x3 ixfh90n20x3.pdf pdf_icon

IXFQ94N30P3

X3-Class HiPerFETTM VDSS = 200V IXFP90N20X3 Power MOSFET ID25 = 90A IXFQ90N20X3 RDS(on) 12.8m IXFH90N20X3 N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated TO-220AB (IXFP) G D D (Tab) S TO-3P (IXFQ) Symbol Test Conditions Maximum Ratings VDSS TJ = 25 C to 150 C 200 V G VDGR TJ = 25 C to 150 C, RGS = 1M 200 V D S VGSS Continuous

Otros transistores... IXFT12N100QHV, IXFT120N25T, IXFR80N10Q, IXFR44N50Q3, IXFR27N80Q, IXFR24N100Q3, IXFR12N100F, IXFR10N100F, IRF730, IXFQ60N60X, IXFQ50N60X, IXFQ34N50P3, IXFQ30N60X, IXFQ26N50P3, IXFQ24N60X, IXFQ20N50P3, IXFP8N50P3