IXFQ94N30P3 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: IXFQ94N30P3

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1040 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 300 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 94 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 19 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 965 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.036 Ohm

Тип корпуса: TO-3P

Аналог (замена) для IXFQ94N30P3

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IXFQ94N30P3 даташит

 ..1. Size:145K  ixys
 ixfh94n30p3 ixfq94n30p3 ixft94n30p3.pdf pdf_icon

IXFQ94N30P3

Advance Technical Information Polar3TM HiperFETTM VDSS = 300V IXFT94N30P3 ID25 = 94A Power MOSFETs IXFQ94N30P3 RDS(on) 36m IXFH94N30P3 N-Channel Enhancement Mode TO-268 (IXFT) Avalanche Rated Fast Intrinsic Rectifier G S D (Tab) TO-3P (IXFQ) Symbol Test Conditions Maximum Ratings VDSS TJ = 25 C to 150 C 300 V G VDGR TJ = 25 C to 150 C

 9.1. Size:191K  ixys
 ixfp90n20x3 ixfq90n20x3 ixfh90n20x3.pdf pdf_icon

IXFQ94N30P3

X3-Class HiPerFETTM VDSS = 200V IXFP90N20X3 Power MOSFET ID25 = 90A IXFQ90N20X3 RDS(on) 12.8m IXFH90N20X3 N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated TO-220AB (IXFP) G D D (Tab) S TO-3P (IXFQ) Symbol Test Conditions Maximum Ratings VDSS TJ = 25 C to 150 C 200 V G VDGR TJ = 25 C to 150 C, RGS = 1M 200 V D S VGSS Continuous

Другие IGBT... IXFT12N100QHV, IXFT120N25T, IXFR80N10Q, IXFR44N50Q3, IXFR27N80Q, IXFR24N100Q3, IXFR12N100F, IXFR10N100F, IRF730, IXFQ60N60X, IXFQ50N60X, IXFQ34N50P3, IXFQ30N60X, IXFQ26N50P3, IXFQ24N60X, IXFQ20N50P3, IXFP8N50P3