Справочник MOSFET. IXFQ94N30P3

 

IXFQ94N30P3 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: IXFQ94N30P3
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1040 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 300 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 94 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 19 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 965 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.036 Ohm
   Тип корпуса: TO-3P
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

IXFQ94N30P3 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:145K  ixys
 ixfh94n30p3 ixfq94n30p3 ixft94n30p3.pdf pdf_icon

IXFQ94N30P3

Advance Technical InformationPolar3TM HiperFETTM VDSS = 300VIXFT94N30P3ID25 = 94APower MOSFETsIXFQ94N30P3 RDS(on) 36m IXFH94N30P3N-Channel Enhancement ModeTO-268 (IXFT)Avalanche RatedFast Intrinsic RectifierGSD (Tab)TO-3P (IXFQ)Symbol Test Conditions Maximum RatingsVDSS TJ = 25C to 150C 300 VGVDGR TJ = 25C to 150C

 9.1. Size:191K  ixys
 ixfp90n20x3 ixfq90n20x3 ixfh90n20x3.pdf pdf_icon

IXFQ94N30P3

X3-Class HiPerFETTM VDSS = 200VIXFP90N20X3Power MOSFET ID25 = 90AIXFQ90N20X3 RDS(on) 12.8m IXFH90N20X3N-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedTO-220AB (IXFP)GDD (Tab)STO-3P (IXFQ)Symbol Test Conditions Maximum RatingsVDSS TJ = 25C to 150C 200 VGVDGR TJ = 25C to 150C, RGS = 1M 200 VDSVGSS Continuous

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , CS150N03A8 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

History: SE4060 | ZXMN0545G4 | IPA600N25NM3S

 

 
Back to Top

 


 
.